[發明專利]光刻掩模板

有效

• 申請號: 201611093541.9
• 申請日: 2016-12-01
• 公開（公告）號: CN108132581B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 陳墨;李群慶;張立輝;金元浩;安東;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: G03F1/50
• 分類號: G03F1/50;G03F1/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光刻掩模板，其特征在于，其包括：一基板；一碳納米管復合結構，設置于所述基板的表面，所述碳納米管復合結構包括一碳納米管層及包裹于該碳納米管層的一金屬鉻層；一遮蓋層，所述遮蓋層覆蓋于所述碳納米管復合結構遠離基板的表面，所述碳納米管層包括至少一碳納米管膜，該碳納米管膜中的碳納米管平行于所述碳納米管膜的表面且沿同一方向擇優取向延伸，在延伸方向上相鄰的碳納米管通過范德華力首尾相連，所述碳納米管膜中至少部分碳納米管平行且間隔設置。

2.如權利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述基板對于紫外光的透過率大于60％。

3.如權利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述碳納米管層為多個碳納米管通過范德華力結合形成的自支撐結構。

4.如權利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述碳納米管層包括多個層疊設置的碳納米管膜，該相鄰的兩個碳納米管膜中碳納米管的延伸方向成一α角度，0°＜α≤90°。

5.如權利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述金屬鉻層將所述碳納米管層中的每一個碳納米管完全包覆。

6.如權利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述遮蓋層的材料為金、鎳、鈦、鐵、鋁、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿、金屬硫化物中的一種。

7.一種采用光刻掩模板制備微納米結構的方法，其包括以下步驟：

提供一第一基板，所述第一基板的表面上設置有一光刻膠層；

將一光刻掩模板覆蓋至所述光刻膠層的表面，所述光刻掩模板為權利要求1-6中任一項所述的光刻掩模板；

采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得該紫外光穿過所述基板及復合層入射至該光刻膠層上，對該光刻膠層進行曝光；

對曝光后的光刻膠層進行顯影處理。

8.一種光刻掩模板的制備方法，其包括以下步驟：

提供一碳納米管復合結構，該碳納米管復合結構包括一碳納米管層及包裹于該碳納米管層表面的一金屬鉻層，所述碳納米管層包括至少一碳納米管膜，該碳納米管膜中的碳納米管平行于所述碳納米管膜的表面且沿同一方向擇優取向延伸，在延伸方向上相鄰的碳納米管通過范德華力首尾相連，所述碳納米管膜中至少部分碳納米管平行且間隔設置；

提供一基板，將所述碳納米管復合結構設置于所述基板的表面上，并使所述基板的部分表面暴露；

在所述碳納米管復合結構遠離所述基板的表面上沉積一遮蓋層。

9.如權利要求8所述的光刻掩模板的制備方法，其特征在于，所述金屬鉻層的厚度為10-50納米。