[發(fā)明專利]襯底處理裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611091707.3
• 申請日: 2016-12-01
• 公開（公告）號: CN106816400B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 豐田一行;山本哲夫
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/22
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種襯底處理裝置，具有：

襯底支承部，其設(shè)置有加熱襯底的第一加熱部，

氣體供給部，其設(shè)置于所述襯底支承部的上側(cè)，對所述襯底供給處理氣體，

第一排氣口，其對所述襯底支承部上的處理空間的氣氛進(jìn)行排氣，

氣體分散部，其與所述襯底支承部相對地設(shè)置，

蓋部，其設(shè)置有第二排氣口，所述第二排氣口對所述氣體供給部和所述氣體分散部之間的緩沖空間進(jìn)行排氣，

氣體整流部，其設(shè)置于所述緩沖空間內(nèi)，具有至少一部分與所述第二排氣口相對且分割為多個(gè)區(qū)域的第二加熱部，并且對所述處理氣體進(jìn)行整流，以及

控制部，其以如下方式控制所述第二加熱部：使與所述第二排氣口相對的區(qū)域的溫度高于其他區(qū)域的溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述控制部以如下方式控制所述第二加熱部：

使所述氣體分散部的所述緩沖空間側(cè)的面的溫度與所述氣體分散部的所述處理空間側(cè)的面的溫度相同。

3.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述控制部以如下方式控制所述第二加熱部：

使所述氣體分散部的所述緩沖空間側(cè)的面的溫度與所述氣體分散部的所述處理空間側(cè)的面的溫度相同。

4.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

在所述蓋部設(shè)置有第三加熱部，

所述控制部以成為所述處理氣體不會吸附于所述蓋部的溫度的方式控制所述第三加熱部。

5.如權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其中，

在所述蓋部設(shè)置有第三加熱部，

所述控制部以成為所述處理氣體不會吸附于所述蓋部的溫度的方式控制所述第三加熱部。

6.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，在所述蓋部的外周部和所述氣體分散部的外周部之間設(shè)置隔熱部。

7.如權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其中，在所述蓋部的外周部和所述氣體分散部的外周部之間設(shè)置隔熱部。

8.如權(quán)利要求4所述的襯底處理裝置，其中，在所述蓋部的外周部和所述氣體分散部的外周部之間設(shè)置隔熱部。

9.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，所述第二加熱部的外周端構(gòu)成為位于比所述襯底的外周端更靠近外側(cè)。

10.如權(quán)利要求6所述的襯底處理裝置，所述第二加熱部的外周端構(gòu)成為位于比所述襯底的外周端更靠近外側(cè)。

11.如權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置，所述第二加熱部的外周端構(gòu)成為位于比所述襯底的外周端更靠近外側(cè)。

12.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

向設(shè)置有第一加熱部的襯底支承部搬送襯底的工序，

通過所述第一加熱部加熱所述襯底的工序，

從第一排氣口對所述襯底支承部上的處理空間的氣氛進(jìn)行排氣的工序，

自設(shè)置于所述襯底支承部的上側(cè)的氣體供給部，經(jīng)由與所述襯底支承部相對設(shè)置的氣體分散部和設(shè)置于所述氣體分散部上的氣體整流部，向所述襯底供給處理氣體的工序，

自在設(shè)于所述氣體分散部上的蓋部上所設(shè)置的第二排氣口，對所述氣體供給部和所述氣體分散部之間的緩沖空間的氣氛進(jìn)行排氣的工序，

通過設(shè)置于與所述第二排氣口相對的位置、且設(shè)置于所述氣體整流部的第二加熱部，以與所述第二排氣部的排氣口相對的區(qū)域的溫度高于其他區(qū)域的溫度的方式加熱所述氣體整流部的工序，所述第二加熱部分割為多個(gè)區(qū)域。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

通過所述第二加熱部以使所述氣體分散板的所述緩沖空間側(cè)的面的溫度與所述氣體分散部的所述處理空間側(cè)的面的溫度相同的方式，對所述氣體分散部進(jìn)行加熱的工序。