[發明專利]KU波段低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201611090968.3
• 申請日: 2016-12-01
• 公開（公告）號: CN106788278B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 關赫;杜永乾;張雙喜
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/24
• 代理公司: 西安利澤明知識產權代理有限公司 61222
• 代理人: 賈曉玲

1.一種KU波段低噪聲放大器，其特征在于：包括第一級共源共柵級聯電感源級負反饋結構、級間匹配網絡、第二級共源共柵級聯電感源級負反饋結構，所述的第一級共源共柵級聯電感源級負反饋結構通過級間匹配網絡和第二級共源共柵級聯電感源級負反饋結構相連接；所述的第一級共源共柵級聯電感源級負反饋結構包括輸入匹配網絡、第一級共源共柵結構放大電路，所述的輸入匹配網絡和第一級共源共柵結構放大電路連接，以實現低噪聲放大器的噪聲系數≦1.2dB；所述的第二級共源共柵級聯電感源級負反饋結構包括第二級共源共柵結構放大電路、輸出匹配網絡，所述的第二級共源共柵放大結構和輸出匹配網絡連接，以實現低噪聲放大器的增益≧20dB；

所述的輸入匹配網絡包括輸入電阻R1、第一電容C1、第二電容C2、第一電感L1、第二電感L2；所述的輸入電阻R1一端接地，另一端連接所述的第一電容C1，所述的第一電容C1另一端和所述的第一電感L1連接；所述的第一電感L1另一端和所述的第二電容C2連接；所述的第二電容C2另一端接地；所述的第二電感L2一端接地，另一端和所述的第一級共源共柵結構放大電路相連接；

所述的第一級共源共柵結構放大電路包括第一共源級晶體管T1、第一共柵級晶體管T2和第三電感L3；所述的共源級晶體管T1的柵端和第一電容C2、第一電感L1均相連接，其源端和第二電感L2相連接，其漏端和第一共柵級晶體管T2的源端連接；所述的第一共柵級晶體管T2的柵端通過第三電感L3和其漏端相連接；

所述的級間匹配網絡包括第三電容C3、第四電容C4、第四電感L4；所述的第三電容C3的一端和第一共源級晶體管T1的漏端、第一共柵級晶體管T2的源端均相連接，另一端和所述的第四電感L4連接；所述的第四電感L4的另一端和所述的第四電容C4連接；所述的第四電容C4另一端接地；

所述的第二級共源共柵結構放大電路包括第五電感L5、第七電感L7、第二共源級晶體管T4、第二共柵級晶體管T3；所述的第五電感L5一端接地，另一端和所述的第二共源級晶體管T4的源端連接；所述的第二共源級晶體管T4的柵端和第四電感L4、第四電容C4均相連接，其漏端和第二共柵級晶體管T3、第七電感L7均相連接，所述的第七電感L7另一端接地，所述的第二共柵級晶體管T3的柵端通過第六電感L6和其漏端連接；

所述的輸出匹配網絡包括第五電容C5、第六電感L6、輸出電阻R2；所述的第六電感L6一端和第二共柵級晶體管T3的柵端連接，另一端和第二共柵級晶體管T3的漏端連接；所述的第五電容C5和第二共柵級晶體管T3的漏端、第六電感L6均相連接，另一端連接輸出電阻R2，所述的輸出電阻R2另一端接地；

所述的第一共源級晶體管T1、所述的第一共柵級晶體管T2、所述的第二共源級晶體管T4、所述的第二共柵級晶體管T3均采用肖特基柵InAs/AlSb HEMT。

2.如權利要求1所述的KU波段低噪聲放大器，其特征在于：可實現片上輸入輸出50歐姆匹配。

3.如權利要求1所述的KU波段低噪聲放大器，其特征在于：所述的L1是792.6pH，L2是130.0pH，L3是3.5nH，L4是613.7pH，L5是16.9pH，L6是1.1nH，L7是617.0pH，C1是10pF，C2是24.9fF，C3是20pF，C4是1.1pF，C5是6.7pF。

4.如權利要求1所述的KU波段低噪聲放大器，其特征在于：所述的低噪聲放大器工作頻帶為12GHz～18GHz，電路滿足無條件穩定。