[發(fā)明專利]主動(dòng)增亮膜、其制備方法及基于FDTD分析主動(dòng)增亮膜偏振性的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611090752.7
• 申請(qǐng)日: 2016-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106773285A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王愷;周子明;秦靜;陳威;郝俊杰;孫小衛(wèi)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南方科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G02F1/13357
• 分類號(hào): G02F1/13357
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 鞏克棟,侯桂麗

1.一種主動(dòng)增亮膜，其特征在于，所述主動(dòng)增亮膜中包含至少一層摻雜量子點(diǎn)的聚合物薄膜和至少一層含有金屬納米棒的聚合物薄膜，所述含有金屬納米棒的聚合物薄膜中的金屬納米棒取向一致且呈周期性排列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)增亮膜，其特征在于，所述主動(dòng)增亮膜中，所述摻雜量子點(diǎn)的聚合物薄膜的層數(shù)大于等于2；

優(yōu)選地，所述含有金屬納米棒的聚合物薄膜的層數(shù)大于等于2；

優(yōu)選地，若所述主動(dòng)增亮膜中只含有一層摻雜量子點(diǎn)的聚合物薄膜，則主動(dòng)增亮膜的一個(gè)外表面為摻雜量子點(diǎn)的聚合物薄膜；

優(yōu)選地，若所述主動(dòng)增亮膜中含有至少兩層摻雜量子點(diǎn)的聚合物薄膜，則主動(dòng)增亮膜的兩個(gè)外表面均為摻雜量子點(diǎn)的聚合物薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的主動(dòng)增亮膜，其特征在于，所述摻雜量子點(diǎn)的聚合物薄膜的厚度為0.0005mm～1mm；

優(yōu)選地，所述含有金屬納米棒的聚合物薄膜的厚度為0.0005mm～1mm；

優(yōu)選地，所述含有金屬納米棒的聚合物薄膜中，所述金屬納米棒的直徑在1nm～200nm；

優(yōu)選地，步驟(3)所述金屬納米棒的長(zhǎng)徑比大于1，優(yōu)選在3以上，進(jìn)一步優(yōu)選為3～5。

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的主動(dòng)增亮膜，其特征在于，所述含有金屬納米棒的聚合物薄膜中，相鄰的兩個(gè)金屬納米棒的軸沿金屬納米棒徑向方向的間距l(xiāng)_x在0～300nm；

優(yōu)選地，所述含有金屬納米棒的聚合物薄膜中，相鄰的兩個(gè)金屬納米棒的同一側(cè)端面沿金屬納米棒軸向的間距l(xiāng)_y在0～300nm。

5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的主動(dòng)增亮膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)向聚合物溶液中加入量子點(diǎn)，混合均勻得到含量子點(diǎn)的混合漿液；

(2)采用步驟(1)含量子點(diǎn)的混合漿液進(jìn)行制膜，得到至少一層摻雜量子點(diǎn)的聚合物薄膜；

(3)向聚合物溶液中加入金屬納米棒，混合均勻得到含金屬納米棒的混合漿液；

(4)采用步驟(3)含金屬納米棒的混合漿液進(jìn)行制膜，得到至少一層含有金屬納米棒的聚合物薄膜，所述含有金屬納米棒的聚合物薄膜中的金屬納米棒取向一致且呈周期性排列；

(5)將至少一層摻雜量子點(diǎn)的聚合物薄膜和至少一層含有金屬納米棒的聚合物薄膜復(fù)合，得到主動(dòng)增亮膜；

或者不進(jìn)行步驟(2)和步驟(5)，而直接在依次進(jìn)行步驟(1)、(3)和(4)之后進(jìn)行步驟(6)：采用步驟(1)的含量子點(diǎn)的混合漿料在步驟(4)的含有金屬納米棒的聚合物上進(jìn)行覆膜，得到主動(dòng)增亮膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述聚合物溶液的質(zhì)量濃度為1wt％～40wt％；

優(yōu)選地，步驟(1)所述量子點(diǎn)包括CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、CdTe、CuInS、InP、CuZnSe、ZnMnSe中的任意一種或至少兩種的混合物；

優(yōu)選地，步驟(1)所述含量子點(diǎn)的混合漿液中，量子點(diǎn)的質(zhì)量體積濃度為：0.1mg/ml～2mg/ml；

優(yōu)選地，步驟(2)所述制膜的方法包括靜電紡絲法、電磁場(chǎng)法、模板法、旋涂法-電磁場(chǎng)法、澆鑄法-電磁場(chǎng)法、澆鑄法-模板法、噴墨法-電磁場(chǎng)法、噴墨法-模版法中的任意一種或至少兩種的組合；

優(yōu)選地，步驟(3)所述聚合物溶液的質(zhì)量濃度為1wt％～40wt％；

優(yōu)選地，步驟(3)所述金屬納米棒的化學(xué)組成包括Au、Ag、Cu、Al、Fe或Zn中的任意一種或至少兩種的組合；

優(yōu)選地，步驟(3)所述含金屬納米棒的混合漿液中，金屬納米棒的質(zhì)量體積濃度為1ng/ml～1μg/ml；

優(yōu)選地，步驟(4)所述制膜的方法包括電磁場(chǎng)、模板法、旋凃法、澆筑法、噴墨法或紡絲法中的任意一種或至少兩種的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，步驟(1)和步驟(3)所述聚合溶液中的聚合物獨(dú)立地為聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚乙烯吡咯烷酮PVP或聚氯乙烯PVC中的任意一種或至少兩種的組合；

優(yōu)選地，步驟(1)和步驟(3)所述混合均勻采用的裝置為行星式重力攪拌機(jī)。