[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 201611089632.5 | 申請日： | 2016-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN106887421A | 公開（公告）日： | 2017-06-23 |
| 發明（設計）人： | 門口卓矢;武直矢 | 申請（專利權）人： | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京金信知識產權代理有限公司11225 | 代理人： | 蘇萌萌,范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，具備：
半導體元件，其具有第一電極與第二電極，并允許電流從所述第一電極向所述第二電極流通且禁止電流從所述第二電極向所述第一電極流通；
導電性部件，其經由焊錫接合層而與所述半導體元件的所述第二電極接合，
與所述焊錫接合層接觸的所述第二電極的表面由以鎳為主要成分的金屬材料構成，
與所述焊錫接合層接觸的所述導電性部件的表面由以銅為主要成分的金屬材料構成，
所述焊錫接合層具有第一化合物層和第二化合物層，所述第一化合物層位于所述焊錫接合層與所述第二電極的界面處且由鎳-錫系的金屬間化合物構成，所述第二化合物層位于所述焊錫接合層與所述導電性部件的界面處且由銅-錫系的金屬間化合物構成。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述半導體元件為二極管，所述第一電極為陽極電極，所述第二電極為陰極電極。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述半導體元件為絕緣柵雙極性晶體管，所述第一電極為集電極，所述第二電極為發射極。
4.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其中，
還具備對所述半導體元件進行密封的密封體，
所述導電性部件為露出于所述密封體的表面的散熱板。
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