[發(fā)明專利]真空裝置、基片對準(zhǔn)設(shè)備及形成預(yù)鍵合片的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611089554.9 | 申請日: | 2016-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN108122808B | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高玉英;魏巍;霍志軍 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空 裝置 對準(zhǔn) 設(shè)備 形成 預(yù)鍵合片 方法 | ||
1.一種基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,包括:
上固定模塊,用于固定上基片;
下固定模塊,用于固定下基片;
真空模塊,在所述上基片與下基片對準(zhǔn)之后在所述上固定模塊和下固定模塊之間形成真空腔體;
其中所述真空模塊包括殼體、密封模塊和真空接口;所述殼體具有一開口并被配置成開口向上地套設(shè)在所述上固定模塊和下固定模塊外側(cè);所述密封模塊設(shè)置在所述開口的內(nèi)壁上,在所述上基片與下基片對準(zhǔn)后使所述上固定模塊和殼體之間密封形成密封腔;所述真空接口穿設(shè)于所述殼體的側(cè)壁中,為所述密封腔提供真空輸入形成真空腔體;
所述真空模塊包括環(huán)境控制模塊,所述環(huán)境控制模塊設(shè)置在所述殼體內(nèi),包括從上至下依次設(shè)置的加熱結(jié)構(gòu)、隔熱結(jié)構(gòu)和冷卻結(jié)構(gòu),所述環(huán)境控制模塊根據(jù)后續(xù)鍵合工藝的需要調(diào)節(jié)殼體內(nèi)的溫度;
所述真空模塊包括真空傳感器,設(shè)置在所述殼體的側(cè)壁中,感測所述真空腔體的真空度;以及,
所述真空模塊還包括基片壓緊模塊,所述基片壓緊模塊用于在所述真空腔體的真空度達(dá)到預(yù)設(shè)真空度時壓緊所述上基片與下基片。
2.如權(quán)利要求1所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,所述基片壓緊模塊設(shè)置在所述下固定模塊上并且位于所述下基片兩側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,還包括測控模塊,所述測控模塊根據(jù)感測到的真空腔體的真空度控制所述真空接口的操作。
4.如權(quán)利要求3所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,所述測控模塊根據(jù)所述真空傳感器所感測的真空度控制所述基片壓緊模塊的壓緊操作。
5.如權(quán)利要求4所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,所述殼體或上固定模塊上設(shè)置有紫外線能夠穿過的窗。
6.如權(quán)利要求4所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,所述殼體或上固定模塊上設(shè)置有能夠移動的門。
7.如權(quán)利要求3所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,所述真空模塊還包括溫度傳感器,用于感測真空腔體內(nèi)的溫度。
8.如權(quán)利要求7所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,所述測控模塊根據(jù)所述溫度傳感器所感測的真空腔體內(nèi)的溫度及所述真空傳感器所感測的真空度控制所述基片壓緊模塊的壓緊操作。
9.如權(quán)利要求8所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,所述加熱結(jié)構(gòu)位于所述下固定模塊的下方。
10.如權(quán)利要求1所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,所述密封模塊為氣囊結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求3所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,還包括傳輸組件、對準(zhǔn)測量組件和驅(qū)動模塊,其中所述傳輸組件用于將所述上基片和下基片交接到所述上固定模塊和下固定模塊上;所述對準(zhǔn)測量組件包括用于采集上基片和下基片上的對準(zhǔn)標(biāo)記信息的第一測量鏡頭和第二測量鏡頭并將所述對準(zhǔn)標(biāo)記信息發(fā)送給測控模塊;所驅(qū)動模塊包括垂向運動機構(gòu)和水平運動機構(gòu),用于在測控模塊的控制下驅(qū)動帶動上固定模塊和下固定模塊運動以使所述上基片和下基片處于對準(zhǔn)終端。
12.如權(quán)利要求11所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,垂向運行機構(gòu)與水平運行機構(gòu)分別設(shè)置在所述上固定模塊之上和所述殼體之下。
13.如權(quán)利要求12所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,所述第一測量鏡頭和第二測量鏡頭設(shè)置于所述上固定模塊上方并且對稱地設(shè)置在所述垂向運行機構(gòu)的兩側(cè)。
14.如權(quán)利要求12所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備,其特征在于,所述第一測量鏡頭和第二測量鏡頭背對背上下設(shè)置。
15.一種基片對準(zhǔn)的方法,其特征在于,包括:
將上基片和下基片相對地固定在權(quán)利要求1至14中任一項所述的基片對準(zhǔn)設(shè)備上;
對準(zhǔn)測量組件測量所述上基片和下基片上的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置;
測控模塊對所述上基片和下基片上的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置進(jìn)行分析并控制驅(qū)動模塊帶動所述上基片和下基片運動至處于對準(zhǔn)終端;
真空模塊使所述上基片與下基片真空貼合。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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