[發明專利]一種褐紋報春苣苔的離體培養方法

有效

• 申請號: 201611089088.4
• 申請日: 2016-12-01
• 公開（公告）號: CN106718888B
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 林茂;王華新;李進華;廖美蘭;孫開道;陳爾;孫麗娜
• 申請（專利權）人: 廣西壯族自治區林業科學研究院
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489
• 代理人: 郭曉華

1.一種褐紋報春苣苔的離體培養方法，其特征在于，包含如下步驟：

步驟一、外植體的消毒滅菌，春季取褐紋報春苣苔的幼嫩葉片，清洗、消毒然后切去少量葉片的邊緣，然后將處理后的葉片接入初代培養基上，培養14d；

步驟二、不定芽的誘導，將步驟一培養后的無菌葉片切成1cm×1cm大小，并將葉片的邊緣切去少量，接入不定芽誘導培養基中，培養15-18d，形成不定芽；所述不定芽誘導培養基為MS+TDZ1.0-2.0mg/L+NAA0.01-0.1mg/L+卡拉膠6.0g/L，并調節pH6.4；

步驟三、繼代培養，將步驟二獲得的不定芽轉接到繼代培養基中培養25-30d，形成組培小苗；

步驟四、生根培養，將步驟三獲得的組培小苗轉接于生根培養基中培養18-20d，獲得生根苗；

步驟五、煉苗移栽，將步驟四獲得的生根苗移出培養室后揭蓋在自然條件下煉苗4-5d，然后洗凈培養基移栽到基質中；澆透定根水后，將移栽小苗置于有遮陽網的蔭棚下，早晚澆水一次，培養7-10d；

所述步驟三中繼代培養基為1/2MS+KT0.5-1.5mg/L+IBA0.05mg/L+活性炭0.2g/L+卡拉膠6.0g/L并調節pH6.4；

所述步驟四中生根培養基為1/4MS+NAA0.1-0.3mg/L+活性炭0.1-0.3g/L+卡拉膠6.0g/L并調節pH6.4。

2.如權利要求1所述的褐紋報春苣苔的離體培養方法，其特征在于：所述步驟一為，春季取褐紋報春苣苔的幼嫩葉片，用中性洗滌劑浸泡40～60min后在流水下沖洗30min，并用軟毛刷輕輕刷洗；在超凈工作臺上，先用棉球蘸取75％酒精拭擦葉片表面，無菌水沖洗2次，再將葉片在75％酒精中浸泡10s，無菌水沖洗3次；用0.1％升汞浸泡葉片10min，無菌水沖洗3次，并輕輕震蕩使葉片充分接觸升汞；將葉片的邊緣切去少量然后接入初代培養基MS培養基上，培養14d。

3.如權利要求1所述的褐紋報春苣苔的離體培養方法，其特征在于：所述步驟五中移栽基質為泥炭和細河沙體積比為3:1的混合物。