[發(fā)明專利]一種側(cè)鏈含氫硅炔雜化耐高溫聚合物及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611089015.5 | 申請日： | 2016-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN107057070B | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳明鋒;劉玉惠;范先謀;劉燦培 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建師范大學 |
| 主分類號： | C08G77/60 | 分類號： | C08G77/60 |
| 代理公司： | 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林志崢 |
| 地址： | 350000 福建省*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 側(cè)鏈含氫硅炔雜化 耐高溫 聚合物 及其 制備 方法 | ||
1.一種側(cè)鏈含氫硅炔雜化耐高溫聚合物的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：在惰性氣體保護下，將三氯乙烯與丁基鋰反應，合成乙炔基雙鋰；
步驟2：在惰性氣體保護下，將二氯硅烷與步驟1合成的乙炔基雙鋰反應，合成乙炔基-硅烷；
步驟3：在惰性氣體保護下，將三氟甲烷磺酸與步驟2合成的乙炔基-硅烷反應，得到側(cè)鏈被活化的三氟甲烷磺酸化乙炔基-硅烷；
步驟4：在惰性氣體保護下，將硼氫化鈉與步驟3生成的三氟甲烷磺酸化乙炔基-硅烷反應，后處理得到目標產(chǎn)物；
其中，步驟2中所述二氯硅烷的結(jié)構(gòu)式為：
式中：R1、R2為苯基或乙烯基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)鏈含氫硅炔雜化耐高溫聚合物的制備方法，其特征在于，所述步驟2中二氯硅烷與乙炔基雙鋰的摩爾比為1∶1.0～1.1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)鏈含氫硅炔雜化耐高溫聚合物的制備方法，其特征在于，所述步驟3中乙炔基-硅烷與三氟甲烷磺酸的摩爾比為1∶0.2～2.5。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)鏈含氫硅炔雜化耐高溫聚合物的制備方法，其特征在于，所述步驟4中三氟甲烷磺酸化乙炔基-硅烷與硼氫化鈉的摩爾比為1∶0.1～1.1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)鏈含氫硅炔雜化耐高溫聚合物的制備方法，其特征在于，所述步驟1中，三氯乙烯滴加過程的溫度為-50～-10℃，滴加完畢后，反應1～4h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)鏈含氫硅炔雜化耐高溫聚合物的制備方法，其特征在于，所述步驟2中，二氯硅烷滴加過程的溫度為-50～-10℃，滴加完畢后，反應1～4h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)鏈含氫硅炔雜化耐高溫聚合物的制備方法，其特征在于，所述步驟3中，三氟甲烷磺酸滴加過程的溫度為-50～0℃，滴加完畢后，反應0.5～6h。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)鏈含氫硅炔雜化耐高溫聚合物的制備方法，其特征在于，所述步驟4中，硼氫化鈉滴加過程的溫度為10～60℃，滴加完畢后，反應4～20h。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)鏈含氫硅炔雜化耐高溫聚合物的制備方法，其特征在于，所述二氯硅烷為二苯基二氯硅烷、二乙烯基二氯硅烷或乙烯基苯基二氯硅烷。
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