[發明專利]橫向擴散金屬氧化物半導體結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201611087923.0
• 申請日: 2016-12-01
• 公開（公告）號: CN108133962A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 沈明達;張名輝;荘智賢;邱偉博
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體(laterally diffused metal-oxide-semiconductor，LDMOS)結構，包含：

柵極結構，位于一基底上；

具有一第一導電型態的源極區，位于該基底中且位于該柵極結構的一邊；

具有該第一導電型態的漏極區，位于該基底中且位于該柵極結構的另一邊；以及

外延結構，位于該基底中，且位于該柵極結構與該漏極區之間。

2.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，還包含有淺溝隔離，位于該基底中且至少環繞該源極區與該漏極區。

3.如權利要求2所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其中該淺溝隔離為一環狀結構。

4.如權利要求2所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，還包含有基體區，位于該基底中，并且至少環繞該淺溝隔離。

5.如權利要求4所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其中該基體區包含有第二導電型態，且該第二導電型態與該第一導電型態互補。

6.如權利要求4所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，還包含：

包含有該第二導電型態的阱區，位于該基底中，且該源極區位于該阱區中；以及

包含有該第一導電型態的漂移區，位于該基底中，且該漏極區位于該飄移區中。

7.如權利要求6所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其中該阱區與該漂移區被該淺溝隔離所包圍。

8.如權利要求7所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其中該外延結構位于該漂移區中。

9.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其中該外延結構的材料包含有硅化鍺、硅化磷或硅化碳。

10.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其中該外延結構不直接接觸該柵極結構。

11.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其中該外延結構的一頂面高于該基底的一頂面。

12.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其中還包含有多個摻雜離子位于該外延結構中，且各該摻雜離子具有第二導電型態，且該第二導電型態與該第一導電型態互補。

13.如權利要求1所述的LDMOS結構，還包含有：

第二柵極結構，位于該基底上，且該漏極區位于該柵極結構與該第二柵極結構之間；以及

具有該第一導電型態的第二源極區，位于該基底中，且該第二柵極結構位于該漏極區以及該第二源極區之間。

14.如權利要求2所述的LDMOS結構，其中該外延結構的一深度小于該淺溝隔離的一深度。