[發(fā)明專(zhuān)利]溫控點(diǎn)可修調(diào)的智能溫控電路及修調(diào)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611087787.5
• 申請(qǐng)日: 2016-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108121378B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉玉芳;徐棟;丁增偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華潤(rùn)微集成電路（無(wú)錫）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G05D23/19
• 分類(lèi)號(hào): G05D23/19
• 代理公司: 上海智信專(zhuān)利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

本發(fā)明涉及一種溫控點(diǎn)可修調(diào)的智能溫控電路，包括帶隙基準(zhǔn)模塊，用于產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn)電壓和正溫度系數(shù)電流；溫度控制模塊，用于調(diào)整內(nèi)部電阻的阻值以修調(diào)溫控點(diǎn)；還包括一種實(shí)現(xiàn)溫控點(diǎn)修調(diào)的方法，包括以下步驟：(1)根據(jù)具有離散性的智能溫控波形，制作表格；(2)測(cè)試溫度保持恒溫25℃，閉合K1，斷開(kāi)K2，測(cè)試VREF的電壓值；(3)根據(jù)VREF的電壓值，通過(guò)查表得到設(shè)定電阻的目標(biāo)阻值；(4)斷開(kāi)K1，閉合K2調(diào)節(jié)所述的設(shè)定電阻的阻值。采用了該電路及方法，通過(guò)中測(cè)修調(diào)熔絲改變智能溫控點(diǎn)，提高不同電路間溫控點(diǎn)的一致性，改善溫控點(diǎn)的離散性問(wèn)題，且不會(huì)降低成測(cè)良率，正常工作時(shí)溫控點(diǎn)能達(dá)到130℃，具有廣泛的應(yīng)用范圍。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及智能溫控電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是指一種溫控點(diǎn)可修調(diào)的智能溫控電路及修調(diào)方法。

背景技術(shù)

LED驅(qū)動(dòng)電路中，流過(guò)功率管的電流比較大，加在功率管兩端的電壓隨輸入電壓的升高而升高，芯片的發(fā)熱會(huì)比較明顯，芯片本身的散熱能力有限，芯片的溫度會(huì)不斷升高，功率過(guò)高還會(huì)減少LED的壽命。針對(duì)芯片發(fā)熱，智能溫度控制是常見(jiàn)的解決方法，現(xiàn)有一種線性LED驅(qū)動(dòng)的智能溫控電路，在芯片溫度升高到一定值T_ADJ時(shí)，減小輸出電流，調(diào)節(jié)芯片的溫度。但是該電路智能溫控點(diǎn)受工藝波動(dòng)影響大，導(dǎo)致不同芯片間智能溫控點(diǎn)離散性大。

針對(duì)上述問(wèn)題目前有一種做法是通過(guò)成測(cè)時(shí)讓芯片以一個(gè)固定的電流工作一段時(shí)間，測(cè)試這段時(shí)間芯片的溫漂，挑出滿(mǎn)足規(guī)范的電路，這種方法是通過(guò)間接的方法測(cè)得的，工作一段時(shí)間后芯片的溫度不準(zhǔn)，導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不夠精確，而且在成測(cè)中將不滿(mǎn)足規(guī)范的電路卡掉，會(huì)導(dǎo)致成品良率低。

現(xiàn)有解決方案1：電路在出廠成測(cè)時(shí)進(jìn)行如下測(cè)試，Drain端加一直流電壓，采樣電阻為R_CS，電路上電工作時(shí)間為T(mén)，測(cè)試輸入電流變化，電路工作一段時(shí)間T后的電流溫漂在規(guī)定范圍的為良品。該測(cè)試方法是基于電路在相同的工作電流下工作相同的時(shí)間，芯片的發(fā)熱量相同，即芯片工作T時(shí)間后芯片溫升是相同的。

方案1的缺點(diǎn)在于，不同芯片功率管的導(dǎo)通電阻會(huì)有差異，對(duì)芯片的溫升影響較大，電路工作一段時(shí)間T后，電路的溫升會(huì)有差異，由于測(cè)得的電流溫漂不在相同的溫度差下測(cè)得，所以通過(guò)它測(cè)到的智能溫控點(diǎn)不準(zhǔn)確。

現(xiàn)有解決方案2：測(cè)試時(shí)，直接給芯片加溫測(cè)試智能溫控點(diǎn)。

方案2的缺點(diǎn)在于，智能溫控點(diǎn)一般都設(shè)置在130℃左右，目前測(cè)試條件不允許，且成本較高。

綜上所述，這兩種方案都是成測(cè)方法，會(huì)導(dǎo)致良率偏低，不能對(duì)溫控點(diǎn)修調(diào)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)有效改善溫控點(diǎn)的離散性問(wèn)題，而且不會(huì)降低成測(cè)良率的溫控點(diǎn)可修調(diào)的智能溫控電路及修調(diào)方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的溫控點(diǎn)可修調(diào)的智能溫控電路及修調(diào)方法具有如下構(gòu)成：

該溫控點(diǎn)可修調(diào)的智能溫控電路，包括：

帶隙基準(zhǔn)模塊，用于產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn)電壓和正溫度系數(shù)電流，所述的帶隙基準(zhǔn)模塊包括帶隙基準(zhǔn)電壓輸出端和正溫度系數(shù)電流輸出端；

溫度控制模塊，用于調(diào)整內(nèi)部電阻的阻值以修調(diào)溫控點(diǎn)，確保芯片溫度在安全范圍內(nèi)，所述的溫度控制模塊分別與所述的帶隙基準(zhǔn)電壓輸出端和所述的正溫度系數(shù)電流輸出端相連接。

較佳地，所述的溫度控制模塊包括用于測(cè)試25℃時(shí)VREF的電壓值的測(cè)試電阻，以及用于根據(jù)測(cè)得的VREF的電壓值調(diào)整阻值以修調(diào)溫控點(diǎn)的設(shè)定電阻，所述的測(cè)試電阻和所述的設(shè)定電阻并聯(lián)連接于所述的正溫度系數(shù)電流輸出端與接地端之間。