[發(fā)明專利]一種Inx 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611087469.9 | 申請日： | 2016-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN106601787B | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊學林;沈波;張潔;程建朋;馮玉霞;紀攀峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 in base sub | ||
1.一種InxAlyGa1-x-yN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長方法，其特征在于，通過采用低溫AlN插入層，同時將中斷改在AlN插入層前，提高InxAlyGa1-x-yN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二維電子氣遷移率，具體為：在生長一層GaN外延層后，在其上生長GaN溝道層；然后停止生長，即停掉鎵源，將生長溫度降至低溫，即600-900℃溫度范圍內(nèi)；待溫度穩(wěn)定后生長低溫AlN插入層；隨后保持溫度在600-900℃范圍內(nèi)生長InxAlyGa1-x-yN勢壘層，形成InxAlyGa1-x-yN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)，其中0x≤0.8，0y1.0，且x+y1.0。
2.如權(quán)利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，生長GaN外延層的溫度為900-1100℃，壓力為10-200mbar。
3.如權(quán)利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，生長GaN溝道層的溫度為900-1200℃，壓力為10-200mbar。
4.如權(quán)利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，生長低溫AlN插入層的溫度為600-900℃，壓力為10-200mbar。
5.如權(quán)利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，生長InxAlyGa1-x-yN勢壘層的溫度為600-900℃，生長壓力為10-200mbar。
6.如權(quán)利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，所述GaN外延層的生長厚度為10nm-20μm，GaN溝道層的生長厚度為2nm-1.0μm，AlN插入層的生長厚度為0.5nm-3.0nm，InxAlyGa1-x-yN勢壘層的生長厚度為2nm-50nm。
7.如權(quán)利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，先在襯底上生長成核層，再在成核層上依次生長GaN外延層、GaN溝道層、低溫AlN插入層和InxAlyGa1-x-yN勢壘層；或者，先在襯底上生長成核層，在成核層上外延生長AlGaN應(yīng)力和缺陷控制層，然后再依次生長GaN外延層、GaN溝道層、低溫AlN插入層和InxAlyGa1-x-yN勢壘層。
8.如權(quán)利要求7所述的外延生長方法，其特征在于，所述襯底是單晶硅襯底或單晶碳化硅襯底；所述成核層的生長溫度為600-1200℃，生長壓力為10-200mbar，生長厚度為10nm-2μm；所述AlGaN應(yīng)力和缺陷控制層的生長溫度為900-1200℃，生長壓力為10-200mbar，生長厚度為10nm-10μm。
9.如權(quán)利要求1所述的外延生長方法，其特征在于，所述GaN外延層、GaN溝道層、低溫AlN插入層和InxAlyGa1-x-yN勢壘層的生長方法選自金屬有機化合物氣相外延、分子束外延、氫化物氣相外延和化學氣相沉積中的一種。
10.權(quán)利要求1～9中任意一項所述的外延生長方法制備的InxAlyGa1-x-yN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)，包括依次層疊的GaN外延層、GaN溝道層、低溫AlN插入層和InxAlyGa1-x-yN勢壘層。
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- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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