[發明專利]負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201611086729.0 | 申請日： | 2016-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN108118293B | 公開（公告）日： | 2020-04-03 |
| 發明（設計）人： | 陳朗;李曉文;黃傳威 | 申請（專利權）人： | 南方科技大學 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/28;C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 鞏克棟 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 泊松比 鈣鈦礦型 薄膜 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料，其特征在于，所述鈣鈦礦型薄膜材料的化學成分為BaTiO3，所述鈣鈦礦型薄膜材料具有負泊松比，且所述負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料的厚度為50nm～150nm。
2.根據權利要求1所述的負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料，其特征在于，所述鈣鈦礦型薄膜材料的泊松比為-0.421～-0.225。
3.如權利要求1～2任一項所述的負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供靶材，所述靶材的化學成分為BaTiO3；
將所述靶材置于脈沖激光沉積設備內，在氧氣氛圍中，以激光能量密度為1.5J/cm2～2.5J/cm2、激光頻率為1.5Hz～2.5Hz的激光轟擊所述靶材30min～90min，使所述靶材熔化產生等離子體，其中，所述氧氣氛圍中的氧壓為0.5Pa～10Pa；以及
將所述等離子體沉積至溫度為500℃～700℃的襯底上，形成所述負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料，所述襯底為硅片。
4.根據權利要求3所述的負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述靶材采用如下方法制備：
將BaCO3和TiO2混合，得到混合物；
球磨所述混合物，得到第一粉料；
在850℃～950℃條件下將所述第一粉料預燒9h～11h，得到預燒料；
球磨所述預燒料，得到第二粉料；
將所述第二粉料壓制成型，在1000℃～1200℃條件下燒結9h～11h，得到所述靶材。
5.根據權利要求4所述的負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述混合物中所述BaCO3與所述TiO2的質量比為0.8～1.2：1。
6.根據權利要求4或5所述的負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述混合物中所述BaCO3與所述TiO2的質量比為1：1。
7.根據權利要求4所述的負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料的制備方法，其特征在于，球磨所述混合物的操作之前，還包括將所述混合物在80℃～120℃條件下烘干。
8.根據權利要求4所述的負泊松比鈣鈦礦型薄膜材料的制備方法，其特征在于，球磨所述預燒料的操作具體為將所述預燒料置于球磨機中球磨4h～6h。
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