[發明專利]一種SRAM存儲器件及制備方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201611086015.X
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN108122915B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 甘正浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種SRAM存儲器件的制備方法，所述SRAM存儲器件至少包括傳輸門晶體管，其特征在于，所述傳輸門晶體管的制備方法包括：

提供基底，所述基底包括用于形成反相器的下拉晶體管區域和上拉晶體管區域；

在所述基底上依次形成界面層和高K介電層；

在預定形成所述傳輸門晶體管的區域中對所述高K介電層進行氮化處理，以增加所述傳輸門晶體管的正偏壓溫度不穩定性水平，其中，對所述高K介電層進行氮化處理的方法包括：

形成圖案化的掩膜層，以覆蓋所述下拉晶體管區域和所述上拉晶體管區域，并露出形成所述傳輸門晶體管的區域；

對所述傳輸門晶體管區域中的所述高K介電層進行氮化處理。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在預定形成所述傳輸門晶體管的區域中對所述高K介電層進行氮化處理后所述方法還進一步包括在所述高K介電層上形成覆蓋層，以覆蓋所述高K介電層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在對所述高K介電層進行氮化處理之后所述方法還進一步包括退火的步驟。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述覆蓋層之前所述方法還進一步包括去除所述掩膜層的步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述傳輸門晶體管的柵極為金屬柵極。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化處理包括對所述高K介電層進行氮離子注入的工藝。

7.一種SRAM存儲器件，其特征在于，所述SRAM存儲器件至少包括傳輸門晶體管，所述傳輸門晶體管的柵極包括：

基底；

界面層，位于基底上；

高K介電層，位于所述界面層上，所述高K介電層為經氮化處理的高K介電層；

覆蓋層，位于所述高K介電層上方；

所述SRAM存儲器件還包括兩個交叉耦合的反相器，兩個所述反相器分別與兩個所述傳輸門晶體管電連接；其中，每個所述反相器中均包括下拉晶體管和上拉晶體管，其中，所述下拉晶體管和上拉晶體管中的高K介電層為未經氮化處理的高K介電層。

8.根據權利要求7所述的SRAM存儲器件，其特征在于，所述傳輸門晶體管的柵極為金屬柵極。

9.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求7至8之一所述的SRAM存儲器件。