[發明專利]一種偏壓溫度不穩定性測試結構及測試方法在審
| 申請號： | 201611085832.3 | 申請日： | 2016-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN106597246A | 公開（公告）日： | 2017-04-26 |
| 發明（設計）人： | 鄭仲馗;曹巍 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 偏壓 溫度 不穩定性 測試 結構 方法 | ||
1.一種偏壓溫度不穩定性測試結構，其特征在于，包括：
N個串聯的反相器，每一所述反相器包括一個PMOS管和一個NMOS管，其中，每一所述PMOS管和NMOS管的柵極、源極、漏極和體區均通過焊盤引出，N為大于1的奇數。
2.根據權利要求1所述的偏壓溫度不穩定性測試結構，其特征在于，第一個反相器的輸入端和最后一個反相器的輸出端相連。
3.根據權利要求1所述的偏壓溫度不穩定性測試結構，其特征在于，第i個反相器的PMOS管和NMOS管的漏極與第i+1個反相器的PMOS管和NMOS管的柵極由同一個焊盤引出，其中i為大于等于1且小于等于N-1的正整數。
4.一種偏壓溫度不穩定性測試方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：提供一種偏壓溫度不穩定性測試結構，其包括N個串聯的反相器，每一所述反相器包括一個PMOS管和一個NMOS管，其中每一所述PMOS管和NMOS管的柵極、源極、漏極和體區均通過焊盤引出，N為大于1的奇數；
S2：通過所述焊盤向第一個反相器中PMOS管或NMOS管的的柵極施加應力電壓，向每一所述反相器中PMOS管的源極和體區施加高電平，同時向每一所述反相器中NMOS管的源極和體區施加低電平；
S3：停止施加所述應力電壓、高電平和低電平，通過所述焊盤向任意一個反相器中PMOS管或NMOS管的柵極施加工作電壓、源極和體區施加接地電平，同時通過所述焊盤測量所述PMOS管或NMOS管的漏極飽和電流。
5.根據權利要求4所述的偏壓溫度不穩定性測試方法，其特征在于，第一個反相器的輸入端和最后一個反相器的輸出端相連。
6.根據權利要求4所述的偏壓溫度不穩定性測試方法，其特征在于，所述第i個反相器的PMOS管和NMOS管的漏極與第i+1個反相器的PMOS管和NMOS管的柵極由同一個焊盤引出，其中i為大于等于1且小于等于N-1的正整數。
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