[發(fā)明專利]一種SF6氣體傳感器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611085817.9 | 申請日： | 2016-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN108120904A | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李璐;陳碩;鄭天祥;劉占云;侯繼彪;牛曉晨;葉志齊;單來之;高慧;高運(yùn)興;陳文康;李江偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)山東省電力公司泰安供電公司;天津市普迅電力信息技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/12 | 分類號： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京安博達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 傳感器 硅尖陣列 平面網(wǎng)狀 電極 通氣孔 正電極 制備 負(fù)電極 襯底 電暈放電電流 單晶硅片 電暈放電 絕緣材料 連接引線 外圍電路 板電極 放電針 針尖 按下 隔離 玻璃 | ||
1.一種SF6氣體傳感器，其特征在于，包括：帶有通氣孔的硅尖陣列負(fù)電極(1)、帶有通氣孔的平面網(wǎng)狀正電極(2)以及將所述硅尖陣列負(fù)電極(1)和平面網(wǎng)狀正電極(2)隔離的絕緣材料(3)。
2.如權(quán)利要求1所述的SF6氣體傳感器，其特征在于，所述硅尖陣列負(fù)電極(1)表面沉積的材料包括下述中的任意一種：
高熔點(diǎn)金屬材料；
貴金屬材料；
金屬氧化物納米材料。
3.如權(quán)利要求1或2所述的SF6氣體傳感器，其特征在于，所述平面網(wǎng)狀正電極(2)是用高熔點(diǎn)金屬或貴金屬材料，采用MEMS工藝制備的薄膜電極。
4.如權(quán)利要求1或2所述的SF6氣體傳感器，其特征在于，所述絕緣材料(3)的材料包括下述中的任意一種：氮化硅膜；
氧化硅膜；
聚合物膜；
氮化硅、氧化硅和聚合物的復(fù)合膜；
圖形化的陶瓷材料。
5.如權(quán)利要求1所述的SF6氣體傳感器，其特征在于，所述硅尖陣列負(fù)電極(1)的硅尖與平面網(wǎng)狀正電極(2)之間的距離為10μm～1000μm。
6.一種SF6氣體傳感器制備方法，其特征在于，該方法包括：
制備帶有通氣孔的硅尖陣列負(fù)電極和帶有通氣孔的平面網(wǎng)狀正電極；
用常溫銀漿將金屬絲分別固定在制備好的硅尖陣列負(fù)電極與平面網(wǎng)狀正電極上，作為電極引線；將所述硅尖陣列負(fù)電極和平面網(wǎng)狀正電極結(jié)合固定，
形成SF6氣體傳感器。
7.如權(quán)利要求6所述的SF6氣體傳感器制備方法，其特征在于，
制備硅尖陣列負(fù)電極包括：
單晶硅片兩面分別沉積氧化硅薄膜；
基于MEMS工藝對單晶硅片一面氧化硅薄膜圖形化；
以圖形化的氧化硅薄膜為掩膜層，基于MEMS工藝形成硅尖陣列；
基于MEMS工藝對單晶硅片另一面氧化硅薄膜圖形化；
以單晶硅片另一面圖形化的氧化硅薄膜為掩膜層，基于MEMS工藝形成通氣孔；
基于MEMS工藝去除單晶硅片表面的所有氧化硅薄膜。
8.如權(quán)利要求6所述的SF6氣體傳感器制備方法，其特征在于，
制備平面網(wǎng)狀正電極包括：
基于MEMS工藝在玻璃片上制備圖形化的平面金屬電極；
基于MEMS工藝在玻璃片上的所述平面金屬電極上制備通氣孔。
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