[發明專利]使用升壓電路的電平移位器電路

在審

• 申請號: 201611085086.8
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN107181480A
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 馬木特·辛格爾;柯欣欣;鄭基廷;陳炎輝;廖宏仁;張琮永
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175;G11C7/10
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 路勇

技術領域

本發明實施例大體上涉及一種使用升壓電路的電平移位器電路。所述升壓電路經配置以在例如跨越所述電平移位器電路的電壓域的高電壓相差較大時改進所述電平移位器電路的操作。

背景技術

電平移位器電路是可用于將信號從一個邏輯電平轉換成另一邏輯電平的電路。舉例來說，電平移位器電路可用于使用不同電壓電平(例如，針對高電壓的不同值)的兩個電路之間。電平移位器電路可放置于這兩個電路之間，以將一種電壓轉換成另一種電壓，使得兩個電路中的每一者都能夠基于對應高電壓值檢測(例如)高信號。電平移位器電路用于各種電路中，例如(但不限于)靜態隨機存取存儲器(SRAM)及雙軌SRAM電路，其中與連接到較低電壓的SRAM外圍電路的剩余部分不同，SRAM單元是連接到較高電壓。電平移位器電路用于上移進入SRAM單元的信號。

發明內容

本發明實施例提供一種電路設備，其包括：核心電平移位器電路，其經配置以將輸入信號的第一電壓改變成輸出信號的第二電壓；第一升壓電路，其耦合到所述核心電平移位器電路并經配置以在所述輸入信號從低值轉變成高值時產生施加于所述核心電平移位器電路的第一瞬變電壓；及第二升壓電路，其耦合到所述核心電平移位器電路并經配置以在所述輸入信號從高值轉變成低值時產生施加于所述核心電平移位器電路的第二瞬變電壓。

附圖說明

在結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本發明實施例的方面。應注意，根據行業中的標準慣例，各種特征件并非按比例繪制。事實上，為使論述清楚，可隨意增加或減小各種特征件的尺寸。

圖1說明根據一些實施例的具有升壓電路的電平移位器電路。

圖2說明根據一些實施例的具有升壓電路的電平移位器電路。

圖3說明根據一些實施例的電平移位器電路的不同節點處的電壓波形。

圖4說明根據一些實施例的具有升壓電路的電平移位器電路。

現將參考附圖描述本發明實施例。在圖中，一般來說，相似的元件符號指示相同或功能類似的元件。另外，一般來說，元件符號的最左數字識別其中元件符號第一次出現的圖。

具體實施方式

以下揭示內容提供用于實施所提供的標的物的不同特征的許多不同實施例或實例。下文描述組件及布置的特定實例以簡化本揭示。當然，這些僅為實例且不希望具限制性。舉例來說，在以下描述中第一特征形成于第二特征上方或第一特征形成于第二特征上可包含其中第一及第二特征是直接接觸而形成的實施例，且也包含其中額外特征可形成于第一特征與第二特征之間使得第一特征與第二特征可不直接接觸的實施例。另外，本揭示可在各種實例中重復元件符號及/或字母。此重復是出于簡單及明確目的，且其本身并不指示所論述的各種實施例及/或配置之間的關系。

跨越電平移位器電路的電壓域的高電壓之間的較大差值可影響電平移位器電路的操作。例如設定大小、多閾值等等的解決方案已用于解決電平移位器電路的這個問題。然而，這些解決方案引入顯著的面積及/或電力額外開銷而具有有限的益處。如下文詳細論述，本發明的各種實施例將升壓電路加入到核心電平移位器電路以在內部提升較低電壓，以便有效地使兩個高電壓之間的差值更小。

圖1說明根據一些實施例的具有升壓電路的電平移位器電路。電平移位器電路100包含核心電平移位器電路101及一或多個升壓電路125及127。

核心電平移位器電路101包含晶體管111及113，其可為(但不限于)n型場效應晶體管(FET)，例如n型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。在一個實例中，晶體管111及113操作為下拉裝置。核心電平移位器電路101還包含晶體管103、105、107、及109，其可為(但不限于)p型FET，例如p型MOSFET。在一個實例中，晶體管103、105、107、及109操作為上拉裝置。在此實例中，晶體管103及105操作為有源負載，其具有到核心電平移位器電路101的輸出端子的交叉耦合連接。