[發明專利]金屬柵極晶體管、集成電路、系統及其制造方法

在審

• 申請號: 201611084056.5
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN106887402A
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 何建志;趙治平;曾華洲;陳俊宏;蘇嘉祎;亞歷克斯·卡爾尼茨基;鄭價言;莊學理
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/8238;H01L21/8234;H01L29/51;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種方法，包括：

在基板上方的第一層間電介質(ILD)中形成柵極帶，其中，所述柵極帶包括柵極墊片，并且所述柵極帶具有沿平行于所述第一ILD的頂面的第一方向測量的第一寬度；

形成導電帶，所述導電帶具有沿所述第一方向測量的第二寬度并與所述柵極帶直接接觸，其中，所述第二寬度大于所述第一寬度，并且形成所述導電帶包括將所述導電帶的最底部表面形成在所述第一ILD的頂面上方；

在所述第一ILD和所述導電帶上方形成第二ILD；以及

在所述第二ILD中和所述導電帶上方形成導電插塞。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述導電帶的材料包括W、Al、Cu、TiN、TaN、TiW、或上述的組合。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述導電帶的厚度介于大約100埃和大約10,000埃之間的范圍內。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述柵極帶包括金屬柵極。

5.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述柵極帶和所述導電帶之間形成電傳導結構。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述電傳導結構是A1和/或金屬硅化物。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述導電帶包括形成具有平行于所述柵極帶的縱向軸線的縱向軸線的所述導電帶。

8.一種方法，包括：

形成具有第一寬度的柵極帶，其中，所述柵極帶包括墊片，并且所述柵極帶位于基板上方的第一層間電介質(ILD)中；

在所述柵極帶上方形成圖案化層，其中，所述圖案化層具有位于所述柵極帶上方的溝槽開口；

在所述溝槽開口中形成導電帶，其中，所述導電帶的整體具有第二寬度，其中，所述第二寬度沿著垂直于所述基板的頂面的方向是不變的，所述導電帶與所述柵極帶直接接觸，并且所述導電帶沿著所述墊片的頂面延伸；

在所述導電帶上方形成第二ILD；以及

在所述第二ILD中和所述導電帶上方形成導電插塞。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，形成導電帶的步驟包括：

將導電材料填充至所述溝槽開口中和所述圖案化層上方；以及

移除所述圖案化層上方的所述導電材料的一部分。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，移除導電材料的一部分的步驟是通過化學機械拋光(CMP)實施的。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述圖案化層是介電層。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，所述導電帶的材料包含W、Al、Cu、TiN、TaN、TiW、或上述的組合。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第二寬度與所述第一寬度的比介于大約1和大約6之間。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述導電帶包括形成具有平行于所述柵極帶的縱向軸線的縱向軸線的所述導電帶。

15.一種方法，包括：

在基板上方的第一層間電介質(ILD)中形成第一柵極帶，其中，所述第一柵極帶包括墊片并且具有沿第一方向的第一寬度以及沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的縱向軸線；

形成在所述第一ILD中具有第二寬度的第二柵極帶，其中，所述第二柵極帶包括墊片并且所述第二寬度在所述第一方向中；

形成與所述第一柵極帶直接接觸的第一導電帶，其中，所述第一導電帶具有在所述第一方向中的第三寬度，所述第三寬度大于所述第一寬度，以及平行于所述第一柵極帶的縱向軸線延伸的縱向軸線；

形成與所述第二柵極帶直接接觸的第二導電帶，其中，所述第二導電帶具有在所述第一方向中的第四寬度，所述第四寬度大于所述第二寬度，并且所述第二寬度與所述第四寬度的比沿著垂直于所述基板的頂面的方向是不變的，其中，沿所述第一方向測量的所述第一導電帶和所述第二導電帶之間的距離小于沿所述第一方向測量的所述第一柵極帶和所述第二柵極帶之間的距離；以及

在所述第一ILD、所述第一導電帶和所述第二導電帶上方形成第二ILD。