[發(fā)明專利]顯示基板及制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611082981.4 | 申請日: | 2016-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN106784366B | 公開(公告)日: | 2018-09-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 程磊磊;周斌 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括:
襯底基板;
像素界定層圖案,其設置于所述襯底基板上,其中,所述像素界定層圖案包括靠近所述襯底基板的本體層和遠離所述襯底基板的氧化層,所述本體層和所述氧化層通過對制備所述像素界定層圖案的材料層進行部分氧化得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其中,制備所述像素界定層圖案的材料包括硅氧烷類有機材料,所述硅氧烷類有機材料包括羥基化的聚二甲基硅氧烷或聚苯乙烯嵌段的聚二甲基硅氧烷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其中,所述像素界定層圖案被氧化部分的厚度為像素界定層總厚度的30~80%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的顯示基板,還包括設置于所述像素界定層圖案所限定的像素區(qū)域中的有機發(fā)光器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板,其中,所述有機發(fā)光器件包括位于所述襯底基板上的第一電極、設置在所述第一電極上的有機發(fā)光層和設置在所述有機發(fā)光層上的第二電極。
6.一種顯示裝置,包括權(quán)利要求1-5中任一項所述的顯示基板。
7.一種顯示基板的制備方法,包括:
提供襯底基板;
在所述襯底基板上形成像素界定層;
對所述像素界定層進行氧化處理,其中,所述像素界定層的遠離所述襯底基板的一側(cè)被部分氧化,由此使得所述像素界定層包括靠近所述襯底基板的主體層和遠離所述襯底基板的氧化層;
對所述像素界定層進行固化成型處理,并對所述像素界定層進行構(gòu)圖工藝以形成像素界定層圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其中,所述像素界定層圖案的材料包括硅氧烷類有機材料,所述硅氧烷類有機材料包括羥基化的聚二甲基硅氧烷或聚苯乙烯嵌段的聚二甲基硅氧烷。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其中,使用紫外線或臭氧對所述像素界定層進行部分氧化。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一所述的制備方法,其中,所述像素界定層圖案被氧化部分的厚度為像素界定層總厚度的30~80%。
11.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一所述的制備方法,其中,對所述像素界定層進行固化成型處理的溫度范圍為25~100℃。
12.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一所述的制備方法,其中,對所述像素界定層進行固化成型處理的時間范圍為0.5~6小時。
13.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一所述的制備方法,還包括:在所述像素界定層圖案所限定的像素區(qū)域中形成有機發(fā)光器件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法,其中,形成所述有機發(fā)光器件包括:
在所述襯底基板上形成第一電極;
在所述第一電極上形成有機發(fā)光層;和
在所述有機發(fā)光層上形成第二電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法,其中,使用噴墨打印形成所述有機發(fā)光層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





