[發明專利]一種高導電石墨烯/銅基層狀復合材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201611082597.4
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN106584976A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 熊定邦;曹沐;譚占秋;范根蓮;李志強;張荻
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: B32B15/01
• 分類號: B32B15/01;B32B15/20;B32B7/08;B32B33/00;B32B37/06;B32B37/10;C23C16/26
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司31236
• 代理人: 郭國中

1.一種高導電石墨烯/銅基層狀復合材料，其特征在于：所述復合材料包括板狀銅基底以及石墨烯，所述石墨烯與銅基底交替復合構成層狀結構，層內厚度方向銅基底為單晶態，且表現為高度取向(111)晶面，層內水平方向銅基底為單晶或多晶態。

2.根據權利要求1所述的高導電石墨烯/銅基層狀復合材料，其特征在于：所述板狀銅基底上下表面均勻沉積石墨烯，并誘導銅基底沿(111)擇優取向，得到三明治狀的石墨烯包覆銅基底。

3.根據權利要求2所述的高導電石墨烯/銅基層狀復合材料，其特征在于，所述的三明治狀的石墨烯包覆銅基底中，銅基底為箔材或板材，層厚為1μm～500μm，銅基底的純度≥99％。

4.根據權利要求2所述的高導電石墨烯/銅基層狀復合材料，其特征在于，所述的三明治狀的石墨烯包覆銅基底中，石墨烯的層數為1～10層。

5.根據權利要求1-4任一項所述的高導電石墨烯/銅基層狀復合材料，其特征在于，所述銅基底的片數為2片以上。

6.一種權利要求1-5任一項所述的高導電石墨烯/銅基層狀復合材料的制備方法，其特征在于：

首先利用化學氣相沉積技術，在板狀銅基底上下表面均勻沉積石墨烯，并誘導銅基底沿(111)擇優取向，得到三明治狀的石墨烯包覆銅基底；

再將多片石墨烯包覆銅基底經熱壓燒結致密化，得到高導電石墨烯/銅基層狀復合材料。

7.根據權利要求6所述的高導電石墨烯/銅基層狀復合材料的制備方法，其特征在于，所述的三明治狀的石墨烯包覆銅基底中，晶粒在銅基底厚度方向為單晶態，在面內水平方向為單晶或多晶態。

8.根據權利要求6所述的高導電石墨烯/銅基層狀復合材料的制備方法，其特征在于，在制備所述三明治狀的石墨烯包覆銅基底過程中，石墨烯生長所需的碳源種類為氣態或固態，所生長石墨烯的層數為1～10層。

9.根據權利要求6-8任一項所述的高導電石墨烯/銅基層狀復合材料的制備方法，其特征在于，所述在層狀復合材料致密化過程中，所述石墨烯包覆銅基底的片數為2片或以上。

10.根據權利要求1所述的高導電石墨烯/銅基層狀復合材料的制備方法，其特征在于，所述的熱壓燒結致密化為真空或者氣體保護下熱壓燒結、放電等離子體燒結、微波燒結中的一種，燒結溫度范圍為700～1000℃，壓力范圍為10～200MPa。