[發明專利]量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法

在審

• 申請號: 201611082008.2
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN106784238A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 高丹鵬;張志寬;邢其彬;蘇宏波
• 申請（專利權）人: 蕪湖聚飛光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54;G02F1/13357
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所44242
• 代理人: 任哲夫

1.一種量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

a、按照質量比1：1-300將發光材料A與封裝膠水混合均勻，制得熒光膠A，所述發光材料A為量子點熒光粉和/或稀土元素摻雜的無機熒光粉；

b、將所述熒光膠A滴入固定有發光芯片的LED支架中，并將滴入的所述熒光膠A固化，得到LED燈珠；

c、按照質量比1：1-300將量子點熒光粉與封裝膠水混合均勻，制得量子點熒光膠B；

d、將所述量子點熒光膠B涂覆于LED透鏡內表面或外表面，并將涂覆的量子點熒光膠B固化；

e、在固化后的量子點熒光膠B表面涂覆封裝膠水，并將所述封裝膠水固化，得到具有封裝膠保護層的LED透鏡，將得到的LED透鏡固定于所述LED燈珠外部，即得到LED背光源。

2.根據權利要求1所述的量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法，其特征在于，所述量子點熒光粉、所述稀土元素摻雜的無機熒光粉發射光峰值波長為450-660nm，所述量子點熒光粉為BaS、AgInS₂、NaCl、Fe₂O₃、In₂O₃、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(S_xSe_1-x)、BaTiO₃、PbZrO₃、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPbI₃中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法，其特征在于，所述無機熒光粉為硅酸鹽、鋁酸鹽、磷酸鹽、氮化物、氟化物熒光粉中的至少一種。

4.根據權利要求3所述的量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法，其特征在于，所述發光芯片為發射光峰值波長230-400nm的紫外光芯片或發射光峰值波長420-480nm的藍光芯片。

5.根據權利要求4所述的量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法，其特征在于，所述步驟b中，所述熒光膠A的體積占所述LED支架體積的90-100％，所述熒光膠A在80-160℃下烘烤0.5-8h固化。

6.根據權利要求5所述的量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法，其特征在于，所述封裝膠水為環氧類封裝膠水、有機硅類封裝膠水、聚氨酯封裝膠水中的至少一種。

7.根據權利要求6所述的量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法，其特征在于，所述步驟b后還包括將所述LED燈珠焊接于FPC表面的步驟，所述焊接采用回流焊，所述回流焊最高溫度為240-275℃，最高溫度區間內加熱時間為10-30s。

8.根據權利要求7所述的量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法，其特征在于，所述步驟d中，所述量子點熒光膠B的涂覆厚度為5-500μm,所述量子點熒光膠B在230-400nm的紫外光下照射3-100s固化。

9.根據權利要求8所述的量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法，其特征在于，所述步驟e中，所述封裝膠水的涂覆厚度為10-1000μm，所述封裝膠水在230-400nm的紫外光下照射5-200s固化。

10.根據權利要求9所述的量子點透鏡型直下式LED背光源的制作方法，其特征在于，所述量子點熒光粉為粉末狀或溶劑分散狀。