[發明專利]一種在硅基底上制備橫向圓形微同軸金屬結構的方法

有效

• 申請號: 201611081965.3
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN106744654B
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 阮久福;張稱;董耘琪;宋哲;趙欣悅;黃波
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/02;C25D1/00
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司34101
• 代理人: 何梅生

1.一種在硅基底上制備橫向圓形微同軸金屬結構的方法，其特征在于，該方法具體包括以下步驟：首先在硅基底上制備金屬種子層，在硅基底上涂覆一層30nm厚的PDMS薄膜做釋放層，在PDMS薄膜上真空濺射一層厚度約為30nm的金屬層，在金屬層上涂覆一層厚度約為50nm的RZJ-304正光刻膠，將涂覆RZJ-304正性光刻膠的硅基片置于刻有圖案1、玻璃材質、厚度為3mm的鍍鉻1號掩膜版下，使用波長約為365納米的紫外光曝光；將硅基片浸沒在TMAH顯影液中顯影并去除曝光時遮光的正光刻膠，獲得所需金屬種子層；其次制備內導體的SU-8膠膜支撐體，即在金屬種子層上涂覆一層500um厚的SU-8負性光刻膠，將涂覆SU-8負性光刻膠的硅基片在2號掩膜版下用紫外光進行曝光并對其顯影，獲得同軸微結構的SU-8膠膜支撐體；然后制備微同軸的金屬內外導體的膠膜結構，在基片上涂覆一層500um厚的KMPR負性光刻膠，在3號掩膜版下用紫外光進行曝光，將曝光后的膠膜基片在顯影液內顯影獲得微同軸金屬內外導體的膠膜結構；然后對膠膜結構進行微電鑄，鑄層為500um，獲得帶膠膜的金屬微結構，去除微結構內的KMPR膠膜，即獲得縱向的金屬微同軸結構；最后將微同軸金屬結構在無塵手套箱內從硅基片上分離，將縱向金屬微同軸結構橫向鍵合到硅基片上，即獲得橫向圓形微同軸金屬結構。

2.根據權利要求1所述的在硅基底上制備橫向圓形微同軸金屬結構的方法，其特征在于，在包含金屬種子層的硅基片上涂覆500um厚的SU-8負性光刻膠，將涂覆負光刻膠的硅基片置于鍍鉻2號掩膜版下，鍍鉻掩膜版上為刻有支撐體圖案并且厚度為3mm的玻璃材質，使用波長約為365nm的紫外光曝光，將基片置于SU-8專用顯影液內顯影獲得SU-8支撐體。

3.根據權利要求1所述的在硅基底上制備橫向圓形微同軸金屬結構的方法，其特征在于，首先在硅基片上涂覆了一層PDMS薄膜作為釋放層，縱向微同軸金屬結構制備完成，即可在無塵手套箱內將縱向微同軸金屬結構揭下來。

4.根據權利要求1所述的在硅基底上制備橫向圓形微同軸金屬結構的方法，其特征在于，將揭下的縱向微同軸金屬結構通過鍵合技術橫向鍵合在硅基片上，即可獲得橫向圓形微同軸金屬結構。