[發明專利]防靜電吸附聚酰亞胺薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201611080163.0
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN108117658B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 青雙桂;姬亞寧;馬紀翔;白小慶
• 申請（專利權）人: 桂林電器科學研究院有限公司
• 主分類號: C08L79/04
• 分類號: C08L79/04;C08J7/04;C08J7/044;C08G73/10;C09D179/08;C09D5/16;C09D5/24;C08L79/08
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 唐智芳

本發明公開了一種防靜電吸附聚酰亞胺薄膜的制備方法，包括以下步驟：1)制備聚酰胺酸薄膜；2)制備含親水性顆粒的聚酰胺酸復合溶液，具體為：取親水性顆粒均勻分散于極性非質子溶劑中，然后加入二胺和二酐反應制得；其中，親水性顆粒為氧化硅和/或氧化鈦，其加入量為所得復合溶液固含量的0.1～10w/w％；所述極性非質子溶劑的用量為控制所得復合溶液的粘度為10～10000mPa·s；3)將所得復合溶液涂覆于聚酰胺酸薄膜的表面，之后經拉伸、熱酰亞胺化，即得。采用本發明所述方法可將親水性顆粒的加入量擴大到聚酰胺酸復合溶液固含量的10％，并保證制備所得的PI薄膜在保持其原有透明率和絕緣性的基礎上有效降低表面靜電。

技術領域

本發明涉及聚酰亞胺薄膜，具體涉及一種防靜電吸附聚酰亞胺薄膜的制備方法。

背景技術

聚酰亞胺(PI)薄膜不僅具有優良的耐熱性、耐化學性和機械強度，而且絕緣性能良好，電氣強度一般在300kV/mm左右，體積電阻率達10¹²～10¹⁶Ω·m，表面電阻率達10¹⁵～10²⁰Ω，被用作電子絕緣膜廣泛應用于微電子、液晶顯示、醫療等行業領域。但是，由于PI薄膜較高的表面電阻率，導致PI薄膜在生產及后處理過程中，膜和膜之間因摩擦產生較多的電荷積累，不易消散，從而產生靜電，雖然可通過在線靜電消除設備能夠暫時除去表面電荷，但在搬運、存放、使用等過程中，也會因輕微地摩擦產生靜電，表面帶靜電的PI薄膜也很容易吸附空氣中的灰塵等雜質，空氣潔凈程度越差，吸附的雜質越多，不僅影響外觀質量，形成凸點、凹坑或壓痕，還會大大降低PI薄膜的電氣強度，影響電子元器件等制品的質量和壽命。因此，如何解決聚酰亞胺薄膜的靜電問題成為各個生產廠家的共同需求。

國內外大量文獻資料報道了抗靜電PI薄膜的技術研究，大部分文獻專利通過加入碳系填料，如石墨微片、石墨烯片、碳纖維等，導電金屬或氧化物，導電高分子材料，這些添加劑的加入可以將PI薄膜表面電阻率降低至10⁸Ω，起到抗靜電的作用，但是，所得PI薄膜的體積電阻率降至10¹⁰Ω·m，大大降低了PI薄膜的絕緣性。國標GB/T13542.6-2006電氣絕緣用聚酰亞胺薄膜要求表面電阻率≥10¹⁴～10¹⁵Ω，體積電阻率≥10¹⁰～10¹³Ω·m，因此，目前抗靜電PI薄膜難以滿足電子或電氣絕緣性使用要求。

現有技術中，也有報道通過在PI薄膜表面涂覆導電材料以使所得薄膜具有抗靜電性能，如公開號為CN104292488的發明專利，采用旋涂法將由氧化石墨和碳納米管組成的導電溶液涂覆在PI薄膜表面，以使該薄膜具有抗靜電性能。但目前尚未見有通過在PI薄膜表面涂覆含親水性無機顆粒的聚酰胺酸復合溶液從而使所得薄膜起到防靜電吸附的相關報道。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種防靜電吸附聚酰亞胺薄膜的制備方法。采用本發明所述方法可將親水性顆粒的加入量擴大到聚酰胺酸復合溶液固含量的10％，并保證制備所得的PI薄膜在保持其原有透明率和絕緣性的基礎上有效降低表面靜電，其中所得PI薄膜表面電阻率≥10¹⁶Ω，體積電阻率≥10¹³Ω·m，吸濕性＜2％。

本發明所述的防靜電吸附聚酰亞胺薄膜的制備方法，包括以下步驟：

1)制備聚酰胺酸薄膜；

2)制備含親水性顆粒的聚酰胺酸復合溶液，具體為：取親水性顆粒均勻分散于極性非質子溶劑中，然后加入芳香族二胺和四羧酸二酐反應制得含親水性顆粒的聚酰胺酸復合溶液；其中，

所述親水性顆粒為氧化硅和/或氧化鈦，其加入量為所得復合溶液固含量的0.1～10w/w％；所述極性非質子溶劑的用量為控制所得復合溶液的粘度為10～10000mPa·s；

3)將所得含親水性顆粒的聚酰胺酸復合溶液涂覆于聚酰胺酸薄膜的表面，之后經拉伸、熱酰亞胺化，得到防靜電吸附的聚酰亞胺薄膜。