[發(fā)明專利]一種熱釋電弛豫單晶超薄靈敏芯片及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611079479.8
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN106784290B
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設計）人: 李龍
• 申請（專利權）人: 北立傳感器技術（武漢）有限公司
• 主分類號: H01L37/00
• 分類號: H01L37/00;H01L37/02
• 代理公司: 武漢謙源知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 42251
• 代理人: 尹偉

1.一種熱釋電弛豫單晶超薄靈敏芯片的制備方法，其特征在于,包括如下步驟：

步驟1：對單晶片的正反面進行研磨與化學機械拋光，再在研磨與化學機械拋光后的所述單晶片正反面真空低溫蒸鍍金屬膜層；

步驟2：制備黑化物，將所述黑化物噴涂在鍍膜后的所述單晶片反面，并在所述單晶片反面形成掩膜黑化層；

所述步驟1包括：

步驟11：對多個所述單晶片按照治具的卡槽尺寸進行切割，將切割后的所述單晶片正面朝上并一一對應地置于治具的卡槽內(nèi)；

步驟12：對所述單晶片的正面進行研磨，使所述單晶片正面的平整度達到±1μm范圍內(nèi)；

步驟13：對研磨后的所述單晶片的正面進行化學機械拋光，并在所述單晶正面形成正光學平面，再在所述正光學平面表面真空低溫蒸鍍金屬膜層；

步驟14：翻轉所述單晶片使其反面朝上，并對所述單晶片的反面進行研磨，使所述單晶片的厚度減薄至32±1μm，且所述單晶片反面的平整度達到±1μm范圍內(nèi)；

步驟15：對研磨后的所述單晶片的反面進行化學機械拋光，直至所述單晶片的厚度減薄至20±1μm，并在所述單晶反面形成反光學平面，在所述反光學平面表面也真空低溫蒸鍍金屬膜層；

所述步驟2中黑化物由以下步驟制備：將水性環(huán)氧樹脂與多壁碳納米管分散液按體積比小于1：5混合均勻，并加入蒸餾水進行稀釋、混合均勻，得到混合液；

所述步驟2中黑化物的噴涂包括：

步驟21：對減薄后的所述單晶片反面進行設定尺寸和形狀的鋼網(wǎng)掩膜；

步驟22：將混合液倒入超聲噴涂容器內(nèi)，隨后對鋼網(wǎng)掩膜后的所述單晶片反面進行超聲噴涂，制得均勻致密厚度為1-2 μm的多壁碳納米管掩膜黑化層；

步驟23：對噴涂后的掩膜黑化層進行低溫80度烘烤，直到掩膜黑化層固化粘接；

步驟24：對噴涂掩膜黑化層的單晶片按照鋼網(wǎng)的掩膜尺寸進行劃切，得到批量的靈敏芯片。

2.根據(jù)權利要求1所述一種熱釋電弛豫單晶超薄靈敏芯片的制備方法，其特征在于：所述步驟13和步驟15中，對研磨后的所述單晶片的正面和反面進行化學機械拋光之前，還需要將治具和所述單晶片洗凈。

3.根據(jù)權利要求1所述一種熱釋電弛豫單晶超薄靈敏芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟13中，對研磨后的所述單晶片的正面進行化學機械拋光包括：

步驟131：采用第一拋光液和拋光布對所述單晶片的正面進行快速拋光，直至所述單晶片的正面形成光學鏡面；

步驟132：采用第二拋光液和拋光布對所述單晶片的正面進行精細拋光，直至所述單晶片的正面與治具的上端面處于同一平面；

步驟133：對所述單晶片進行清洗，并將洗凈后的所述單晶片置于鍍膜腔內(nèi)，并在所述單晶片的正面真空低溫蒸鍍金屬膜層；

其中，所述第一拋光液和第二拋光液采用酸性硅溶膠，其PH范圍為3至4之間，且所述第一拋光液中硅溶膠的粒徑大于所述第二拋光液中硅溶膠的粒徑。

4.根據(jù)權利要求1所述一種熱釋電弛豫單晶超薄靈敏芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟15包括：

步驟151：采用第一拋光液和拋光布對所述單晶片的反面進行快速拋光，直至所述單晶片的反面形成光學鏡面；

步驟152：采用第二拋光液和拋光布對所述單晶片的反面進行精細拋光，直至所述單晶片的厚度減至20±1μm，且所述單晶片的反面與治具的上端面處于同一平面；

步驟153：對所述單晶片進行清洗，并將洗凈后的所述單晶片置于鍍膜腔內(nèi)，并在所述單晶片的反面真空低溫蒸鍍金屬膜層；

其中，所述第一拋光液和第二拋光液采用酸性硅溶膠，其PH范圍為3至4之間，且所述第一拋光液中硅溶膠的粒徑大于所述第二拋光液中硅溶膠的粒徑。