[發(fā)明專利]一種用于4G的LTE網(wǎng)絡覆蓋的寬頻帶天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611078309.8 | 申請日: | 2016-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN106785361B | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 葉春;姚岳;季智紅;王太峰;楊紅偉 | 申請(專利權)人: | 中通服咨詢設計研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/36 | 分類號: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/08;H01Q5/10;H01Q5/20 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人: | 黃振華 |
| 地址: | 210000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 lte 網(wǎng)絡 覆蓋 寬頻 天線 | ||
本發(fā)明提供了一種用于4G的LTE網(wǎng)絡覆蓋的寬頻帶天線,包括介質基板,所述介質基板正面設有天線本體,背面設有輻射層,所述天線本體包括一組低頻輻射單元和一組高頻輻射單元,低頻輻射單元和一組高頻輻射單元均與輻射層耦合。所述每一個低頻輻射單元包括兩個互相垂直的第一低頻振子和第二低頻振子。所述第一低頻振子長度大于第二低頻振子的長度。所述每一個高頻輻射單元包括互相垂直的第一高頻振子和第二高頻振子。第一高頻振子和第二高頻振子長度相同。所述介質基板中部設有濾波裝置,濾波裝置包括LC濾波器,低頻輻射單元和一組高頻輻射單元分別與LC濾波器耦合,LC濾波器與輻射層耦合。
技術領域
本發(fā)明涉及通信天線領域,特別是一種用于4G的LTE網(wǎng)絡覆蓋的寬頻帶天線。
背景技術
第四代移動電話行動通信標準,指的是第四代移動通信技術,外語縮寫:4G。該技術包括TD-LTE和FDD-LTE兩種制式。4G是集3G與WLAN于一體,并能夠快速傳輸數(shù)據(jù)、高質量、音頻、視頻和圖像等。4G能夠以100Mbps以上的速度下載,比目前的家用寬帶ADSL(4兆)快25倍,并能夠滿足幾乎所有用戶對于無線服務的要求。此外,4G可以在DSL和有線電視調制解調器沒有覆蓋的地方部署,然后再擴展到整個地區(qū)。很明顯,4G有著不可比擬的優(yōu)越性。
LTE關鍵技術包括OFMD、MIMO、軟件無線電、基于IP的核心網(wǎng)和智能天線技術,智能天線具有抑制信號干擾、自動跟蹤以及數(shù)字波束調節(jié)等智能功能,被認為是未來移動通信的關鍵技術。智能天線應用數(shù)字信號處理技術,產生空間定向波束,使天線主波束對準用戶信號到達方向,旁瓣或零陷對準干擾信號到達方向,達到充分利用移動用戶信號并消除或抑制干擾信號的目的。這種技術既能改善信號質量又能增加傳輸容量。
LTE覆蓋頻率范圍比較寬,并且隨著移動通信網(wǎng)絡的快速發(fā)展,不同的移動運營商使用的網(wǎng)絡也各不相同,而不同的通信網(wǎng)絡需要占用不同的頻譜資源,如果能用一款天線跨越多個頻段無疑將是不可多得的選擇。然而傳統(tǒng)的終端天線或小型基站只能解決單頻段覆蓋,即至工作于698~960MHz或1710~2690MHz,要做到寬頻段甚至全頻段的覆蓋智能增設天線,這樣又會導致天線整體體積的增加以及成本的提升。
發(fā)明內容
發(fā)明目的:本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術的不足,提供一種用于4G的LTE網(wǎng)絡覆蓋的寬頻帶天線。
為了解決上述技術問題,本發(fā)明提供了一種用于4G的LTE網(wǎng)絡覆蓋的寬頻帶天線,包括介質基板,所述介質基板正面設有天線本體,背面設有反射層,所述天線本體包括一組低頻輻射單元和一組高頻輻射單元,低頻輻射單元和一組高頻輻射單元均與反射層耦合。
本發(fā)明中,所述每一個低頻輻射單元包括兩個互相垂直的第一低頻振子和第二低頻振子。
本發(fā)明中,所述第一低頻振子長度大于第二低頻振子的長度。
本發(fā)明中,所述每一個高頻輻射單元包括互相垂直的第一高頻振子和第二高頻振子。
本發(fā)明中,第一高頻振子和第二高頻振子長度相同。
本發(fā)明中,所述介質基板中部設有濾波裝置,濾波裝置包括LC濾波器,低頻輻射單元和一組高頻輻射單元分別與LC濾波器耦合,LC濾波器與反射層耦合。
本發(fā)明中,所述介質基板上設有第一金屬框和第二金屬框,第一金屬框包圍低頻輻射單元,第二金屬框包圍高頻輻射單元,第一金屬框與介質基板之間設有第一輻射縫隙,第二金屬框與介質基板之間設有第二輻射縫隙。
本發(fā)明中,所述介質基板中軸線上設有微帶饋線,低頻輻射單元和高頻輻射單元分別于微帶饋線耦合,所述第一輻射縫隙從第一金屬框的上側經(jīng)過靠近微帶饋線的一側一直延伸到第一金屬框的下側從而形成背離微帶饋線一側開口的矩形結構,所述第二輻射縫隙從第二金屬框的上側經(jīng)過靠近微帶饋線的一側一直延伸到第二金屬框的下側從而形成背離微帶饋線一側開口的矩形結構,第一輻射縫隙與第二輻射縫隙在微帶饋線兩側對稱。
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