[發(fā)明專利]一種通過(guò)優(yōu)化偏振器方位角提高磁疇成像質(zhì)量的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611076545.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107525769B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 連潔;李蒙蒙;楊修倫;王曉;宋浩男;石玉君;劉宇翔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/21 | 分類號(hào): | G01N21/21 |
| 代理公司: | 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
| 地址: | 250100 山*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 通過(guò) 優(yōu)化 偏振 方位角 提高 成像 質(zhì)量 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種通過(guò)優(yōu)化偏振器方位角提高磁疇成像質(zhì)量的方法,所述方法通過(guò)建立磁疇成像效果(包括信噪比和對(duì)比度)與偏振器方位角組合之間的數(shù)學(xué)模型,對(duì)磁疇成像效果與偏振器方位角組合之間的關(guān)系進(jìn)行模擬分析,從而找到最佳的偏振期方位角,提高磁疇成像的質(zhì)量。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種通過(guò)優(yōu)化偏振器方位角提高磁疇成像質(zhì)量的方法,涉及在磁疇成像系統(tǒng)中,通過(guò)建立磁疇成像效果(主要包括信噪比和對(duì)比度兩方面)與偏振器方位角組合之間的數(shù)學(xué)模型,得到磁疇成像效果與偏振器方位角之間的關(guān)系,并通過(guò)計(jì)算分析對(duì)成像效果進(jìn)行模擬,從而找到最佳的偏振器方位角,提高磁疇成像的質(zhì)量。
背景技術(shù)
超薄磁性薄膜目前已被廣泛運(yùn)用在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域,特別是高密度磁光存儲(chǔ)設(shè)備和自旋電子器件的設(shè)計(jì)和制造中,因此提高超磁性薄膜材料的性質(zhì)對(duì)這些領(lǐng)域的發(fā)展具有重要意義。又由于超磁性材料的宏觀性質(zhì)是對(duì)磁疇結(jié)構(gòu)和行為的反映,因此為了進(jìn)一步了解并提高超磁性薄膜材料的性能需要對(duì)其內(nèi)部磁疇的結(jié)構(gòu)和行為進(jìn)行深入的研究。目前對(duì)磁疇結(jié)構(gòu)和行為的研究主要采用的磁疇觀測(cè)技術(shù)有粉末法、磁力顯微鏡法、電子顯微鏡法、磁光克爾效應(yīng)法等。其中磁光克爾效應(yīng)法由于其較高的表面靈敏度和外部磁場(chǎng)兼容性在觀測(cè)外場(chǎng)作用下磁性材料尤其是超薄磁性薄膜材料中的磁疇的結(jié)構(gòu)和行為方面具有廣泛的應(yīng)用。
基于磁光克爾效應(yīng)法的磁疇成像系統(tǒng)主要是通過(guò)檢測(cè)一束線偏振光在材料表面反射后的偏振態(tài)變化引起的光強(qiáng)變化進(jìn)行磁疇觀測(cè)。因此磁疇成像的效果極易受到光學(xué)元件設(shè)置,尤其是偏振器方位角設(shè)置的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種通過(guò)優(yōu)化偏振器方位角提高磁疇成像質(zhì)量的方法,通過(guò)建立磁疇成像效果(包括信噪比和對(duì)比度)與偏振器方位角組合之間的數(shù)學(xué)模型,對(duì)磁疇成像效果與偏振器方位角組合之間的關(guān)系進(jìn)行模擬分析,從而找到最佳的偏振器方位角,提高磁疇成像的質(zhì)量。
為了解決所述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種通過(guò)優(yōu)化偏振器方位角提高磁疇成像質(zhì)量的方法,包括以下步驟:S01、建立偏振器方位角與磁疇成像效果的評(píng)價(jià)指標(biāo)之間的數(shù)學(xué)模型,磁疇成像效果的評(píng)價(jià)指標(biāo)包括圖像對(duì)比度C和信噪比r,偏振器方位角??1、??2與圖像對(duì)比度C、信噪比r的的關(guān)系表達(dá)式為:
(1)
(2)
其中參數(shù)Bi為磁致反射系數(shù)的實(shí)部與虛部的組合,其數(shù)值可以通過(guò)磁光橢偏實(shí)驗(yàn)測(cè)量得到,
參數(shù)fi為偏振器方位角正余弦值的組合,
i為探測(cè)器接收到的光電流,iD為探測(cè)器的暗噪聲,iS為散粒噪聲, VJ為熱噪聲;再根據(jù)C、r與偏振器方位角的關(guān)系表達(dá)式,建立磁疇成像效果的評(píng)價(jià)參數(shù)y,y與偏振器方位角的關(guān)系為:(3),
其中Cmax,rmax分別為對(duì)比度和信噪比的最優(yōu)值;
S02、根據(jù)公式 3對(duì)評(píng)價(jià)參數(shù)y與偏振器方位角的組合進(jìn)行模擬分析,結(jié)合由公式1、2得到的對(duì)比度C、信噪比r與偏振器方位角的關(guān)系,得到具有較好成像效果的偏振器方位角的設(shè)置方式。
本發(fā)明所述通過(guò)優(yōu)化偏振器方位角提高磁疇成像質(zhì)量的方法,步驟2具體為:S2.1、根據(jù)公式1對(duì)對(duì)比度C與偏振器方位角的關(guān)系進(jìn)行模擬分析,得到對(duì)比度最大時(shí)的偏振器方位角;S2.2、根據(jù)公式2對(duì)信噪比r與偏振器方位角的關(guān)系進(jìn)行模擬分析,得到信噪比最大時(shí)的偏振器方位角;S2.3、對(duì)前兩步得到的偏振器方位角進(jìn)行比較,若兩者相差較大,則取使對(duì)比度C不小于0.03的偏振器方位角范圍,在此范圍內(nèi)根據(jù)公式3對(duì)評(píng)價(jià)參數(shù)y與偏振器方位角的關(guān)系進(jìn)行模擬分析,得到評(píng)價(jià)參數(shù)最小時(shí)偏振器方位角的范圍,此偏振器方位角的范圍就是具有較好成像效果的偏振器方位角。
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G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
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