[發明專利]一種硅納米線的制作方法

在審

• 申請號: 201611076495.1
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN106783618A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 劉麗蓉;王勇;丁超
• 申請（專利權）人: 東莞市廣信知識產權服務有限公司;東莞華南設計創新院
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 廣東莞信律師事務所44332
• 代理人: 曾秋梅

1.一種硅納米線的制作方法，其主要步驟為：

(1)準備一硅半導體材料襯底作為基片；

(2)在硅基片上生長20納米厚的Si_0.8Ge_0.2半導體犧牲層；

(3)在Si_0.8Ge_0.2半導體犧牲層上生長20納米厚的硅溝道層；

(4)在硅溝道層上生長30納米厚的硅鍺歐姆接觸層；

(5)在該外延生長完成后的基片上采用PECVD的方法生長SiO2保護層20納米；

(6)利用電子束光刻的方法制作中間位20納米寬度的納米線啞鈴狀圖案；

(7)采用干法刻蝕的方法刻蝕深度直到硅襯底的鰭狀結構；

(8)采用濕法腐蝕的方法腐蝕掉鰭狀部分中硅鍺犧牲層和硅鍺歐姆接觸層；

(9)去除電子束光刻膠；

(10)采用數字腐蝕的方法細化硅納米線。

2.根據權利要求1所述的一種硅納米線的制作方法，其特征在于外延材料是采用超高真空化學汽相沉積的方法沉積的。

3.根據權利要求1所述的一種硅納米線的制作方法，其特征在于干法刻蝕采用的設備為ICP刻蝕系統，采用的氣體為CF4。

4.根據權利要求1所述的一種硅納米線的制作方法，其特征在于濕法腐蝕液為25％的TMAH溶液與水為1：10的水溶液。