[發明專利]半導體器件結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201611074770.6
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN107039366B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 何冠霖;陳衿良;游濟陽;劉育志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/10;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

提供了一種半導體器件結構及其形成方法。半導體器件結構包括襯底以及在襯底上方形成的管芯結構。半導體器件結構還包括在管芯結構上方形成的蓋結構。蓋結構包括具有頂部長度的頂部和具有底部長度的底部。半導體器件結構還包括在蓋結構和管芯結構之間形成的封裝層，并且蓋結構底部的側壁不與管芯結構的側壁對齊。本發明實施例涉及半導體器件結構及其形成方法。

技術領域

本發明實施例涉及半導體器件結構及其形成方法。

背景技術

半導體器件被應用于諸如個人電腦、手機、數碼相機和其它電子設備的各種電子應用中。半導體器件通常是通過在半導體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導電層以及材料半導電層，并利用光刻技術圖案化各種材料層以在其上形成電路組件和元件制成。許多集成電路通常制造在單個半導體晶圓上，并且通過沿劃線在集成電路之間鋸切來分割晶圓上的單獨的管芯。例如，在多芯片模塊中或者以其它類型的封裝中單獨的管芯通常分開封裝。

諸如疊層封裝(PoP)的新封裝技術已經開始發展，其中具有器件管芯的頂部封裝件與具有另外一個器件管芯的底部封裝件結合。通過采用新的封裝技術，具有不同或類似功能的各種封裝件集成在一起。

盡管現有封裝結構以及制造封裝結構的方法已經普遍上達到其預期目的，但是還沒有在各個方面完全讓人滿意。

發明內容

根據本發明的一個實施例，提供了一種半導體器件結構，包括：襯底；管芯結構，形成在所述襯底上方；蓋結構，形成在所述管芯結構上方，其中，所述蓋結構包括具有頂部長度的頂部和具有底部長度的底部，并且所述頂部長度大于所述底部長度；以及封裝層，形成在所述蓋結構和所述管芯結構之間，其中，所述蓋結構的所述底部的側壁不與所述管芯結構的側壁對齊。

根據本發明的另一實施例，還提供了一種半導體器件結構，包括：襯底；管芯結構，形成在所述襯底上方；蓋結構，形成在所述管芯結構上方，其中，所述管芯結構的頂面的部分未被所述蓋結構覆蓋以在所述管芯結構的所述頂面的所述部分上直接形成凹槽；以及封裝層，形成在所述凹槽中并且環繞所述管芯結構。

根據本發明的又一實施例，還提供了一種用于形成半導體器件結構的方法，包括：在襯底上形成第一管芯結構；在所述管芯結構上方形成蓋結構，其中，所述蓋結構的邊緣不與所述管芯結構的邊緣對齊以形成凹槽；以及在所述凹槽中并且環繞所述第一管芯結構形成封裝層。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1A至1D示出了根據本發明的一些實施例的形成半導體器件結構的各個階段的截面圖。

圖2A示出了根據本發明的一些實施例的圖1D的半導體器件結構的頂視圖。

圖2B示出了根據本發明的一些實施例的蓋結構的頂部區域、管芯結構和蓋結構的底部的關系。

圖3A至圖3D示出了根據本發明的一些實施例的形成半導體器件結構的各個階段的截面圖。

圖3D'示出了根據本發明的一些實施例的半導體器件結構的實施例。

圖4A至4D示出了根據本發明的一些實施例的半導體器件結構100d至100g的改進的實施例。

圖5A至5C示出了根據本發明的一些實施例的半導體器件結構100h至100j的改進的實施例。

圖6A示出了根據本發明的一些實施例的圖5A的半導體器件結構100h的頂視圖。

圖6B示出了根據本發明的一些實施例的蓋結構的頂部、管芯結構和蓋結構的底部之間的關系。