[發明專利]一種綠光發光二極管的外延片及其生長方法有效
| 申請號： | 201611074323.0 | 申請日： | 2016-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN106711296B | 公開（公告）日： | 2019-11-29 |
| 發明（設計）人： | 楊蘭;萬林;胡加輝 | 申請（專利權）人： | 華燦光電(浙江)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 徐立<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 綠光發光二極管 藍寶石 依次層疊 外延片 襯底 子層 半導體技術領域 空穴 未摻雜GaN層 多量子阱層 發光效率 晶格失配 量子阱層 注入效率 緩沖層 溢流 生長 | ||
1.一種綠光發光二極管的外延片，所述外延片包括藍寶石襯底、以及依次層疊在所述藍寶石襯底上的緩沖層、未摻雜GaN層、N型層、多量子阱層、P型電子阻擋層、P型層和P型接觸層，其特征在于，所述P型電子阻擋層包括若干依次層疊的子層，所述子層包括InxAl1-xN層和層疊在所述InxAl1-xN層上的InyAlzGa1-y-zN層，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1；
所述InxAl1-xN層中In組分含量為30％，所述InxAl1-xN層中Al組分含量為70％，所述InyAlzGa1-y-zN層中In組分含量為5％，所述InyAlzGa1-y-zN層中Al組分含量沿所述外延片的層疊方向依次為40％、30％、20％、10％、20％、30％、40％；
或者，所述InxAl1-xN層中In組分含量為30％，所述InxAl1-xN層中Al組分含量為70％，所述InyAlzGa1-y-zN層中In組分含量沿所述外延片的層疊方向依次為20％、30％、40％、50％、40％、30％、20％，所述InyAlzGa1-y-zN層中Al組分含量沿所述外延片的層疊方向依次為40％、30％、20％、10％、20％、30％、40％。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述InxAl1-xN層的厚度與所述InyAlzGa1-y-zN層的厚度相同或不同；所述InxAl1-xN層的厚度為1～20nm，所述InyAlzGa1-y-zN層的厚度為1～20nm；所述P型電子阻擋層的厚度小于100nm。
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