[發明專利]接合結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201611073819.6
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN107039380B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 余振華;邱文智;陳明發;陳怡秀
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成集成電路結構的方法，包括：

形成第一導電部件和第二導電部件；

在所述第一導電部件上方形成金屬焊盤，并且所述金屬焊盤電連接至所述第一導電部件；

形成鈍化層以覆蓋所述金屬焊盤的邊緣部分，通過位于所述鈍化層中的開口暴露所述金屬焊盤的頂面的中間部分；

沉積第一介電層以覆蓋所述金屬焊盤和所述鈍化層；

在所述第一介電層上方形成第一接合焊盤，其中，所述第一接合焊盤電連接至所述第二導電部件；以及

沉積第二介電層，其中，所述第二介電層環繞所述第一接合焊盤，

在所述第二介電層中形成用作偽焊盤的第二接合焊盤，所述第二接合焊盤在所述金屬焊盤上方并與所述金屬焊盤重疊。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一接合焊盤和所述第二介電層位于第一封裝組件中，以及所述方法還包括通過混合接合將所述第一接合焊盤和所述第二介電層與第二封裝組件接合。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述第二介電層和所述第一接合焊盤上實施平坦化，其中，當形成所述第一接合焊盤后，所述金屬焊盤的頂面不連接至導電部件。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，通過鍍形成所述第一接合焊盤，以及形成所述第二介電層包括：

沉積介電阻擋層，所述介電阻擋層接觸所述第一接合焊盤的頂面和側壁；

在所述介電阻擋層上方沉積額外的介電層；以及

實施平坦化以去除所述介電阻擋層和所述額外的介電層的比所述第一接合焊盤高的過量部分。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述第一介電層中形成通孔，其中，所述通孔將所述第二導電部件物理連接至所述第一接合焊盤。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一接合焊盤包括：

蝕刻所述第二介電層、所述第一介電層和所述鈍化層以形成第一通孔開口，所述第一通孔開口具有從所述第二介電層的頂面延伸至所述第二導電部件的直的邊緣；以及

填充所述第一通孔開口以形成所述第一接合焊盤，所述第一接合焊盤從所述第二介電層的所述頂面延伸至所述第二導電部件的頂面。

7.根據權利要求6所述的方法，還包括：

蝕刻所述第二介電層以形成第二通孔開口；以及

填充所述第二通孔開口以形成所述第二接合焊盤，所述第二接合焊盤的全部比所述第一介電層的頂面高，其中，在不同的工藝步驟中實施填充所述第一通孔開口和填充所述第二通孔開口。

8.根據權利要求6所述的方法，還包括：

蝕刻所述第二介電層以形成第二通孔開口；以及

填充所述第二通孔開口以形成所述第二接合焊盤，所述第二接合焊盤的全部比所述第一介電層的頂面高，其中，同時實施填充所述第一通孔開口和填充所述第二通孔開口。

9.一種形成集成電路結構的方法，包括：

形成第一金屬部件和第二金屬部件；

在所述第一金屬部件上方形成金屬焊盤，并且所述金屬焊盤接觸所述第一金屬部件；

形成鈍化層以覆蓋所述金屬焊盤的邊緣部分，通過位于所述鈍化層的開口暴露所述金屬焊盤的頂面的中間部分；

形成第一介電層以覆蓋所述金屬焊盤的所述頂面和所述鈍化層；

形成穿透所述第一介電層和所述鈍化層以接觸所述第二金屬部件的通孔；

同時形成第一接合焊盤和第二接合焊盤，所述第二接合焊盤位于所述通孔上方并與所述通孔接觸；

形成第二介電層以使所述第一接合焊盤和用作偽焊盤的所述第二接合焊盤嵌入，所述第二接合焊盤在所述金屬焊盤上方并與所述金屬焊盤重疊；以及

平坦化所述第二介電層的頂面以使所述第二介電層的所述頂面與所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤的頂面齊平。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第一接合焊盤是電浮置的。