[發明專利]一種投影曝光裝置及曝光方法

有效

• 申請號: 201611073752.6
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN108121162B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 陳躍飛;陳飛彪;于大維;潘煉東
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明公開了一種投影曝光裝置及曝光方法，包括沿光路方向依次設置的照明光源、掩模版、掩模臺、投影物鏡陣列、對準測量系統陣列和工件臺，所述工件臺上設有玻璃基板，所述對準測量系統陣列中的對準測量系統與所述投影物鏡陣列中的投影物鏡一一對應，所述玻璃基板上設有兩行對準標記陣列，所述對準標記陣列中相鄰兩個對準標記的間距與所述對準測量系統陣列中相鄰兩個對準測量系統的間距相同。本發明提高了對準標記和對準測量系統的空間布局靈活性；減少了對準標記和對準檢測系統的數量，對準檢測系統的數目和投影物鏡的數目相同，減少了對準過程的時間消耗，提高了檢測效率。

技術領域

本發明涉及光刻技術領域，具體涉及一種投影曝光裝置及曝光方法。

背景技術

TFT是Thin Film Transistor(薄膜場效應晶體管)的簡稱，是一種采用新材料和新工藝的大規模半導體全集成電路制造技術。TFT是在玻璃或塑料基板等非單晶片上(當然也可以在晶片上)通過濺射、化學沉積工藝形成制造電路必需的各種膜，通過對膜的加工制作大規模半導體集成電路(LSIC)。隨著相關電子消費類產品的發展，對TFT的尺寸要求越來越大，集成的單元越來越多，單一的照明系統很難滿足TFT光刻的需求。通常使用在集成電路制造、封裝等步進光刻設備的最大的照明視場一般為8英寸，掃描光刻也只是在掃描方向有更大的視場，一般也不超過10英寸。但是五代以上的TFT曝光視場都在17英寸以上，單一鏡頭的照明視場遠遠不能滿足大視場光刻的要求，所以多視場拼接掃描投影光刻機便應運而生，其很好地解決了大面積的器件制作與產率之間的矛盾，廣泛用于大面積半導體器件、平板顯示(如LCD)、薄膜的生產上。

多物鏡、多視場的掃描拼接技術對對準系統提出來更高的要求，因曝光器件的面積增大，為實現準確的對準需要設置多個對準視場點。如圖1所示，現有技術中提出了一種多視場拼接的對準方法，N個物鏡視場對應于N+1個基板對準系統2’，基板對準系統2’的數目與基板對準標記相對應；然而由于該方法需檢測更多的對準標記，且對準系統的位置需限定于相鄰投影物鏡1’的交疊部，對準過程時間耗費長，提高了曝光的時間，降低了工作效率。

發明內容

本發明提供了一種投影曝光裝置及曝光方法，以解決現有技術中存在的對準過程時間耗費長，工作效率低的問題。

為了解決上述技術問題，本發明的技術方案是：一種投影曝光裝置，包括沿光路方向依次設置的照明光源、掩模版、掩模臺、投影物鏡陣列、對準測量系統陣列和工件臺，所述工件臺上設有玻璃基板，所述對準測量系統陣列中的對準測量系統與所述投影物鏡陣列中的投影物鏡一一對應，所述玻璃基板上設有兩行對準標記陣列，所述對準標記陣列中相鄰兩個對準標記的間距與所述對準測量系統陣列中相鄰兩個對準測量系統的間距相同。

進一步的，所述投影物鏡的中軸線與曝光掃描方向平行，所述對準測量系統設于對應投影物鏡的中軸線上。

進一步的，所述對準測量系統沿非曝光掃描方向排列。

進一步的，所述投影物鏡沿非曝光掃描方向錯位排列。

進一步的，每行所述對準標記陣列中對準標記的數量與所述對準測量系統陣列中對準測量系統的數量相同。

進一步的，還包括與所述掩模臺、工件臺連接的控制系統，控制所述掩模臺、工件臺相對運動。

控制系統本發明還提供一種投影曝光裝置的曝光方法，包括以下步驟：

S1：步進工件臺，將玻璃基板上的第一對準標記陣列移入對準測量系統陣列的視場內；

S2：通過對準測量系統陣列測量第一對準標記陣列在工件臺坐標系下的位置坐標；

S3：再次步進工件臺，將玻璃基板上的第二對準標記陣列移入對準測量系統陣列的視場內；

S4：通過對準測量系統陣列測量第二對準標記陣列在工件臺坐標系下的位置坐標；