[發明專利]用于結構化襯底的方法有效
| 申請號: | 201611073704.7 | 申請日: | 2016-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN106816361B | 公開(公告)日: | 2019-09-13 |
| 發明(設計)人: | M·米希茲;F·伯恩斯坦納;M·海恩里希 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 鄭立柱;張昊 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 結構 襯底 方法 | ||
1.一種用于結構化襯底的方法,包括:
在所述襯底之上設置粘性材料,所述襯底包括延伸到所述襯底中的至少一個外形特征,以在所述襯底之上形成保護層;
在所述粘性材料與所述襯底的接觸時段期間調整所述粘性材料的粘度,以穩定所設置的所述粘性材料的空間分布;
使用所述保護層作為掩模來處理所述襯底;以及
在處理所述襯底之后去除所述保護層。
2.根據權利要求1所述的方法,
其中調整所述粘性材料的粘度包括:在所述粘性材料偏離所述粘性材料接觸所述襯底的位置之前,將所述粘性材料轉化為非粘性狀態。
3.根據權利要求1所述的方法,
其中通過順序沉積工藝在所述襯底之上設置所述粘性材料。
4.根據權利要求1所述的方法,還包括:
將至少一個半導體電路元件形成為位于所述襯底中或位于所述襯底之上的至少一種情況,其中所述至少一個半導體電路電連接至所述至少一個外形特征。
5.根據權利要求1所述的方法,
其中調整所述粘性材料的粘度被配置為:在所述保護層與所述襯底之間形成至少一個中空結構。
6.根據權利要求1所述的方法,
其中通過改變以下條件中的至少一個來調整所述粘性材料的粘度:所述粘性材料的溫度;所述粘性材料的化學結構。
7.根據權利要求1所述的方法,
其中所述粘性材料在接觸所述襯底之前的溫度大于所述粘性材料的凝固溫度。
8.根據權利要求1所述的方法,
其中所述襯底所包含的溫度小于所述粘性材料的凝固溫度,所述凝固溫度用于冷卻所述粘性材料。
9.根據權利要求1所述的方法,
其中所述粘性材料包括熱塑性材料。
10.根據權利要求1所述的方法,
其中所述粘性材料包括熱熔材料。
11.根據權利要求1所述的方法,
其中所述粘性材料不具有揮發性溶劑。
12.根據權利要求1所述的方法,
其中使用按需滴定工藝來設置所述粘性材料。
13.根據權利要求1所述的方法,
其中調整所述粘性材料的粘度,使得當所述至少一個外形特征包括微觀開口時,所述粘性材料不流入到所述外形特征中。
14.根據權利要求1所述的方法,
其中調整所述粘性材料的粘度,使得當所述至少一個外形特征包括宏觀開口時,所述粘性材料內襯所述外形特征。
15.根據權利要求1所述的方法,
其中所述至少一個外形特征包括以下外形特征中的至少一種:孔隙、開口、階梯、凹部、溝槽、與平坦平面的宏觀偏差。
16.根據權利要求1所述的方法,還包括:
在處理所述襯底之前,使用光刻方式來結構化所述保護層。
17.一種用于結構化襯底的方法,包括:
用犧牲材料至少部分地填充延伸到所述襯底中的至少一個外形特征;
在所述犧牲材料之上設置粘性材料,以在所述至少一個外形特征之上形成保護層;
使用所述保護層作為掩模來處理所述襯底;以及
在處理所述襯底之后,去除所述保護層和所述犧牲材料。
18.根據權利要求17所述的方法,
其中所述犧牲材料在溶劑中的溶解性大于所述粘性材料在所述溶劑中的溶解性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





