[發明專利]半導體器件和形成半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201611073609.7
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN106816375B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: W·羅布爾;M·福格;M·內爾希貝爾;K·普魯格爾;C·沙菲爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L21/322
• 分類號: H01L21/322;H01L23/29
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱;張寧

1.一種半導體器件，包括：

半導體區域；

金屬化層，被布置在所述半導體區域之上；以及

自組阻擋層，被布置在所述金屬化層與所述半導體區域之間，其中所述自組阻擋層包括被配置用于從所述金屬化層自離析的合金元素；

其中所述金屬化層包括比所述阻擋層濃度更低的所述合金元素；

其中所述自組阻擋層包括由所述合金元素和所述半導體區域的半導體材料形成的硅化物、以及位于所述金屬化層和所述半導體區域之間的另一阻擋層，所述另一阻擋層包括至少一個缺陷，所述至少一個缺陷包括延伸穿過所述另一阻擋層的開口，以及其中所述自組阻擋層密封所述另一阻擋層中的所述至少一個缺陷。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述自組阻擋層與所述金屬化層或所述半導體區域中的至少一個物理接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，激活所述合金元素從所述金屬化層離析的溫度小于激活所述半導體區域與所述金屬化層反應的溫度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述金屬化層中的所述合金元素的濃度在從0.5at％至50at％的范圍中。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述合金元素是錳、鉭、鉻、鎢、鉬中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述金屬化層的厚度大于所述自組阻擋層的厚度的十倍。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述金屬化層包括自離析合成物，所述自離析合成物包括所述合金元素。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，

其中，所述金屬化層中的所述合金元素的濃度小于所述金屬化層中的宿主材料的濃度。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，

其中，所述宿主材料是銅。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，

其中，所述金屬化層基本上不含所述半導體區域的半導體。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述金屬化層的電阻系數小于70μOhm·cm。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述合金元素被配置為比所述金屬化層與所述半導體區域化學反應更快地從所述金屬化層離析。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述金屬化層包括功率金屬化層。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

接觸焊盤，形成在所述金屬化層之中，或形成在所述金屬化層之上，或形成在所述金屬化層之中和之上。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

電子功率半導體元件，形成在所述半導體區域之中，或形成在所述半導體區域之上，或形成在所述半導體區域之中和之上，

其中所述電子功率半導體元件與所述金屬化層電耦合。