[發(fā)明專利]光模塊

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611072875.8
• 申請(qǐng)日: 2016-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN106785907A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李洵;林澤錕;張華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司;華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01S5/183
• 分類號(hào): H01S5/183;H01S5/20;H01S3/1055
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11438
• 代理人: 邢雪紅,喬彬

1.一種光模塊，其特征在于，包括：

激光器，包括諧振腔，所述諧振腔的一側(cè)具有傾斜端面，用于反射所述諧振腔沿水平方向的第一光路發(fā)出的激光束，使所述激光束沿垂直方向的第二光路輸出；以及

硅基波導(dǎo)，所述硅基波導(dǎo)的上表面設(shè)置有第一光柵，用于反射由所述第二光路輸出的所述激光束；

其中，所述激光器設(shè)置在所述硅基波導(dǎo)的上表面，將所述第二光路輸出的所述激光束耦合至所述第一光柵，并通過所述第一光柵將所述第二光路輸出的所述激光束沿水平方向的光路輸出。

2.如權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述第一光柵反射的激光束沿水平方向相反的第三光路和第四光路輸出；所述硅基波導(dǎo)的上表面還設(shè)置有第二光柵，通過所述第二光柵的反射將所述第四光路輸出的激光束沿所述第三光路輸出。

3.如權(quán)利要求2所述的光模塊，其特征在于，所述硅基波導(dǎo)包括硅襯底和波導(dǎo)層，所述波導(dǎo)層設(shè)置于所述硅襯底上，所述第一光柵和所述第二光柵間隔設(shè)置在所述波導(dǎo)層的上表面，所述硅襯底和所述波導(dǎo)層之間設(shè)置有反射層，通過所述反射層使透過所述第一光柵的激光束回射至所述第一光柵，以沿所述第三光路輸出。

4.如權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述第一光柵的刻蝕深度為0.07-0.17um，所述第一光柵的光柵周期為0.579-0.721um。

5.如權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述諧振腔還具有底面，所述傾斜端面和所述底面之間呈一角度，所述角度為42-46度。

6.如權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述硅基波導(dǎo)為SOI波導(dǎo)，所述激光器為III-V族激光器。

7.如權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述諧振腔還具有底面，所述諧振腔的底面焊接在所述硅基波導(dǎo)的上表面，所述第一光柵與所述諧振腔的所述底面之間具有間隙。

8.如權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述諧振腔依次包括緩沖層、腐蝕停止層、第一間隔層、第一分別限制層、量子阱有源區(qū)、第二分別限制層、第二間隔層、光柵層和上包層。

9.如權(quán)利要求8所述的光模塊，其特征在于，所述緩沖層材料為InP、所述腐蝕停止層材料為InGaAsP、所述第一間隔層材料為P-InP、所述第一分別限制層材料為InGaAsP、所述量子阱有源區(qū)3材料為InGaAsP、所述第二分別限制層材料為InGaAsP、所述第二間隔層材料為N-InP、所述光柵層材料為N-InGaAsP、所述上包層材料為InP。

10.如權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述硅基波導(dǎo)包括波導(dǎo)層、第一掩埋氧化層、反射層、第二掩埋氧化層和硅襯底。