[發明專利]一種Ge的N型歐姆接觸制作方法在審
| 申請號： | 201611072571.1 | 申請日： | 2016-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN106783566A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 劉麗蓉;王勇;丁超 | 申請（專利權）人： | 東莞市廣信知識產權服務有限公司;東莞華南設計創新院 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 廣東莞信律師事務所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市松山湖高新*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ge 歐姆 接觸 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鍺基N型歐姆接觸源漏電極的制作方法，其主要步驟如下：
(1)在重摻雜的N型鍺半導體上定義出歐姆接觸區與非歐姆接觸區；
(2)沉積鎳錫金屬層，并進行剝離工藝形成源漏合金區域；
(3)在300-500度溫度范圍內進行合金，形成半金屬化合物；
(4)采用光刻法定義源漏電極區域；
(5)采用電子束蒸發工藝蒸發金屬鎳/鋁(20/200納米)，并采用剝離工藝形成電極。
2.根據權利要求1所述的一種鍺基N型歐姆接觸源漏電極的制作方法，其特征在于在步驟(2)中沉積鎳錫合金金屬的方法為濺射，濺射功率為50-100瓦。
3.根據權利要求1所述的一種鍺基N型歐姆接觸源漏電極的制作方法，其特征在于在步驟(2)中沉積鎳錫合金金屬的厚度為5-15納米。
4.根據權利要求1所述的一種鍺基N型歐姆接觸源漏電極的制作方法，其特征在于在步驟(2)中沉積鎳錫合金金屬中錫的比例為10％-20％。
5.根據權利要求1所述的一種鍺基N型歐姆接觸源漏電極的制作方法，其特征在于在步驟(3)中合金溫度為400度，合金時間為3-10分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
