[發明專利]一種鍺基NMOS器件結構在審
| 申請號： | 201611072384.3 | 申請日： | 2016-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN106601816A | 公開（公告）日： | 2017-04-26 |
| 發明（設計）人： | 劉麗蓉;王勇;丁超 | 申請（專利權）人： | 東莞市廣信知識產權服務有限公司;東莞華南設計創新院 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 廣東莞信律師事務所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市松山湖高新*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 nmos 器件 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種鍺基NMOS器件結構，其結構包括
一摻雜濃度為1×1018cm-3的P型鍺襯底和襯底上形成的15納米寬的鰭狀結構(101)；
一200納米厚度的氧化硅隔離層(102)；
一200納米厚度的硅鍺源漏歐姆接觸層(103)；
一鍺鰭狀結構上形成的3納米厚度的氧化鋁介質層(104)；
一在氧化鋁介質層上形成的柵金屬電極層(105)；
一在硅鍺源漏歐姆接觸層上形成的源漏金屬電極(106)。
2.根據權利要求1所述的一種鍺基NMOS器件結構，其特征在于鍺襯底的鰭狀結構寬度與器件設計柵長一致。
3.根據權利要求1所述的一種鍺基NMOS器件結構，其特征在于硅鍺源漏歐姆接觸層是在氧化硅隔離層與鍺鰭狀結構間采用外延生長的方法形成的。
4.根據權利要求1所述的一種鍺基NMOS器件結構，其特征在于硅鍺源漏歐姆接觸層寬度、鰭狀結構寬度和氧化硅隔離層寬度共同確定鍺基NMOS器件的尺寸。
5.根據權利要求1所述的一種鍺基NMOS器件結構，其特征在于硅鍺外延層的摻雜類型為N型，摻雜濃度為1×1019cm-3。
6.根據權利要求1所述的一種鍺基NMOS器件結構，其特征在于柵金屬電極為鈦/鋁金屬，厚度為20/200納米，完全覆蓋鍺襯底上的鰭狀結構。
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