[發明專利]一種半導體器件及其制造方法和電子裝置

有效

• 申請號: 201611072290.6
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN108122732B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 程晉廣;陳福成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/60
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

本發明提供一種半導體器件及其制造方法和電子裝置，涉及半導體技術領域。該方法包括：提供第一支撐襯底，在所述第一支撐襯底上形成第一激光解離層；在所述第一激光解離層上形成彼此間由開口隔離的若干圖案化的第一基底層；在每個所述圖案化的第一基底層上形成第一輔助器件，其中，在所述第一輔助器件的正面形成有若干第一引出線；提供器件晶圓，在所述器件晶圓上形成有主器件層，在所述主器件層上形成有與所述主器件層電連接的若干金屬柱；將在所述第一輔助器件的正面露出的部分所述第一引出線和部分所述金屬柱進行第一鍵合；進行第一激光解離，以將所述第一支撐襯底與所述第一基底層分離。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種半導體器件及其制造方法和電子裝置。

背景技術

隨著通訊、智能家居的深入發展及廣泛應用，通訊類集成電路也在同步激增。

通常，絕大部分的芯片在終端的應用都需要配合一些類似濾波、整流、放大、諧振等輔助電路，以實現其最終的功能，如射頻器件等。而主芯片及其輔助電路通常會占用較大的PCB板面積，影響了芯片終端應用的集成度，使得芯片功能的多樣性及應用的廣泛性受到限制。

因此，有必要提出一種半導體器件的制造方法，解決上述技術問題。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

針對現有技術的不足，本發明實施例一中提供一種半導體器件的制造方法，包括：

提供第一支撐襯底，在所述第一支撐襯底上形成第一激光解離層；

在所述第一激光解離層上形成彼此間由開口隔離的若干圖案化的第一基底層；

在每個所述圖案化的第一基底層上形成第一輔助器件，其中，在所述第一輔助器件的正面形成有若干第一引出線；

提供器件晶圓，在所述器件晶圓上形成有主器件層，在所述主器件層上形成有與所述主器件層電連接的若干金屬柱；

將在所述第一輔助器件的正面露出的部分所述第一引出線和部分所述金屬柱進行第一鍵合；

進行第一激光解離，以將所述第一支撐襯底與所述第一基底層分離。

進一步，在所述第一輔助器件的背面也形成有若干所述第一引出線。

進一步，在所述激光解離步驟之后，還包括以下步驟：

提供第二支撐襯底，在所述第二支撐襯底上形成第二激光解離層；

在所述第二激光解離層上形成彼此間由開口隔離的若干圖案化的第二基底層；

在每個所述圖案化的第二基底層上形成第二輔助器件，其中，在所述第二輔助器件的正面形成有若干第二引出線；

將部分所述第二引出線和從所述第一輔助器件的背面露出的部分所述第一引出線相對或將部分所述第二引出線和所述器件晶圓上露出的部分所述金屬柱相對，以進行第二鍵合；

進行第二激光解離，以將所述第二支撐襯底與所述第二基底層分離。

進一步，所述第一支撐襯底的材料為玻璃。

進一步，所述第一激光解離層能夠被波長從紅外到紫外中的一段波長或幾段波長的激光光源分解。

進一步，所述第一基底層包括有機絕緣層、無機絕緣層或金屬層。

進一步，所述有機絕緣層的材料包括聚酰亞胺或聚對苯撐苯并二噁唑。