[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611071426.1 | 申請(qǐng)日： | 2016-11-29 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106784013A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李正亮;李禹奉;寧策;孫雪菲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/786 | 分類號(hào)： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243 | 代理人： | 劉偉,胡影 |
| 地址： | 100015 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管，包括Cu布線層，所述Cu布線層包括柵電極和/或源漏電極，其特征在于，所述Cu布線層的至少一表面設(shè)置有Cu阻擋層，所述Cu阻擋層采用金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物中的任意一種或多種形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物包括：TiO和ZnO。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氮化物包括：TiN和ZnN。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氮氧化物包括：TiON、TiNO、ZnON和ZnNO。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述Cu阻擋層的厚度為50-1000A。
6.一種陣列基板，包括Cu布線層，所述Cu布線層包括柵金屬層和/或源漏金屬層，其特征在于，所述Cu布線層的至少一表面設(shè)置有Cu阻擋層，所述Cu阻擋層采用金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物中的任意一種或多種形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物包括：TiO和ZnO。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氮化物包括：TiN和ZnN。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氮氧化物包括：TiON、TiNO、ZnON和ZnNO。
10.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
