[發明專利]非易失性存儲器和包括非易失性存儲器的存儲裝置

有效

• 申請號: 201611071045.3
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN107045892B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 任琫淳;尹廷允;金志錫;樸相元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗;賈洪菠

公開了非易失性存儲器和包括非易失性存儲器的存儲裝置。存儲裝置包括非易失性存儲器和控制器。控制器向非易失性存儲器提供第一數據、地址和編程開始命令，并在向非易失性存儲器提供編程開始命令后向非易失性存儲器提供第二數據。非易失性存儲器被配置為響應于編程開始命令而啟動基于第一數據的編程操作并在向非易失性存儲器提供第二數據時基于第一數據和第二數據繼續執行編程操作。非易失性存儲器被配置為基于第一數據執行第一編程循環的編程和驗證讀取，第一編程循環的驗證讀取使用一個驗證電壓來執行。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年11月26日向韓國知識產權局提交的第10-2015-0166120號韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本文中公開的本公開實施方式涉及半導體存儲器，特別地，涉及非易失性存儲器和包括非易失性存儲器的存儲裝置。

背景技術

存儲裝置是指在主機裝置的控制下儲存數據的裝置，比如計算機、智能電話或智能平板電腦。存儲裝置包括在比如硬盤驅動器(HDD)的磁盤上儲存數據的裝置，或在半導體存儲器，特別是非易失性存儲器，比如固態驅動器(SSD)或存儲卡，上儲存數據的裝置。

非易失性存儲器包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃存裝置、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)或鐵電RAM(FRAM)。

與比如計算機、智能電話或智能平板電腦的存儲裝置通信的主機裝置的運行速度隨半導體制造技術發展而提高。此外，在主機裝置和存儲裝置中使用的內容的大小與日俱增。為此，正不斷地需要具有提高的運行速度的存儲裝置。

發明內容

本公開的實施方式提供了具有提高的運行速度的非易失性存儲器和包括該非易失性存儲器的存儲裝置。

本公開實施方式的一個方面旨在提供一種存儲裝置。該存儲裝置包括非易失性存儲器和控制器，控制器被配置為向非易失性存儲器提供第一數據、地址和編程開始命令并在向非易失性存儲器提供編程開始命令后向非易失性存儲器提供第二數據。非易失性存儲器被配置為響應于編程開始命令啟動基于第一數據的編程操作，并在第二數據提供至非易失性存儲器時基于第一數據和第二數據繼續執行編程操作。編程操作包括多個編程循環，每個編程循環都包括使用不同驗證電壓重復的驗證讀取和應用驗證讀取的結果至每個存儲單元的編程數據的轉儲。非易失性存儲器被配置為基于第一數據執行第一編程循環的編程和驗證讀取，第一編程循環的驗證讀取使用一個驗證電壓執行。

本公開實施方式的另一方面旨在提供一種非易失性存儲器。該非易失性存儲器包括具有多個存儲單元的存儲單元陣列、通過位線與多個存儲單元連接并被配置為儲存從外部裝置接收的第一數據的頁緩沖器電路以及通過字線與多個存儲單元連接并被配置為當在頁緩沖器電路上加載第一數據時基于第一數據啟動關于選自多個存儲單元的存儲單元連同頁緩沖器電路的編程操作的頁緩沖器電路。頁緩沖器電路被配置為還在編程操作開始后儲存從外部裝置接收的第二數據。當在頁緩沖器電路上加載第二數據時，頁緩沖器電路和行解碼器電路被配置為基于第一數據和第二數據繼續執行編程操作。編程操作包括多個編程循環，其每個編程循環都包括使用不同驗證電壓重復的驗證讀取和應用驗證讀取的結果至每個存儲單元的編程數據的轉儲。非易失性存儲器被配置為基于第一數據執行第一編程循環的編程和驗證讀取，第一編程循環的驗證讀取使用一個驗證電壓執行。

本公開實施方式的另一方面旨在提供一種存儲裝置，其具有非易失性存儲器和控制非易失性存儲器的存儲器訪問操作的存儲器控制器。存儲器控制器向非易失性存儲器提供地址、對應于地址的第一數據和編程開始命令。非易失性存儲器響應于接收第一數據、地址和編程開始命令執行第一編程操作，其中對應于第一數據的編程電壓施加至通過地址識別的非易失性存儲器的存儲單元。存儲器控制器在執行第一編程操作時向非易失性存儲器提供對應于地址的第二數據。

附圖說明