[發明專利]一種低刻蝕光阻殘留物清洗液

在審

• 申請號: 201611070803.X
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN108121176A
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 鄭玢;劉兵;孫廣勝;張維鵬
• 申請（專利權）人: 安集微電子科技（上海）股份有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京大成律師事務所 11352
• 代理人: 李佳銘

1.一種低刻蝕光阻殘留物清洗液，其特征在于，包含

i.醇胺，質量百分比含量為10％-70％；

ii.羥胺，質量百分比含量為5％-30％；

iii.水，質量百分比含量為小于包括等于35％；

iv.螯合劑，質量百分比含量為1-20％；

v.多元胺類化合物，質量百分比含量為1-20％；

vi.表面活性劑，質量百分比含量為0-3％。

2.如權利要求1所述的低刻蝕光阻殘留物清洗液，其特征在于，所述醇胺的質量百分比含量為10-60％，所述羥胺的質量百分比含量為5-25％，所述水的質量百分比含量為5-30％，所述螯合劑的質量百分比含量為5-15％，所述多元胺類化合物的質量百分比含量為1-15％，所述表面活性劑的質量百分比含量為0.01-3％。

3.如權利要求1所述的低刻蝕光阻殘留物清洗液，其特征在于，所述醇胺為脂肪族的醇胺。

4.如權利要求3所述的低刻蝕光阻殘留物清洗液，其特征在于，所述醇胺包括單乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、異丙醇胺、N,N-二甲基基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一種或幾種。

5.如權利要求1所述的低刻蝕光阻殘留物清洗液，其特征在于，所述螯合劑為酚類化合物。

6.如權利要求5所述的低刻蝕光阻殘留物清洗液，其特征在于，所述螯合劑包括鄰苯二酚、對苯二酚、間苯二酚、聯苯三酚、3-甲基鄰苯二酚、4-苯乙基-1,3-苯二酚、4-叔丁基鄰苯二酚、1,8-蒽醌二酚、5-(羥甲基)-1,3-苯二酚、5-甲基連苯三酚、4-苯甲基焦酚、5-甲氧基鄰苯三酚、5-叔丁基鄰苯三酚、5-羥甲基鄰苯三酚中的一種或幾種。

7.如權利要求1所述的低刻蝕光阻殘留物清洗液，其特征在于，所述多元胺類化合物為脂肪族多元胺類化合物。

8.如權利要求7所述的低刻蝕光阻殘留物清洗液，其特征在于，所述多元胺類化合物包括多乙烯多胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、三乙烯二胺六水、己二胺、丁二胺、二乙胺基丙胺、二亞乙基三胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、十二亞甲基二胺、異佛爾酮二胺、N,N,N',N'-四甲基-1,4-丁二胺、N-甲基-2-戊胺、N,N',N”-三甲基二乙烯三胺、N,N,N',N'-四乙基-1,3-丙二胺、三[2-(異丙基氨基)乙基]胺、N,N'-二甲基-1,6-己二胺、1,5-二氨基-2-甲基戊烷、2-氨基-5-二乙基氨基戊烷中的一種或幾種。

9.如權利要求1所述的低刻蝕光阻殘留物清洗液，其特征在于，所述表面活性劑包括聚乙烯吡咯烷酮類、聚乙二醇類和/或聚氧乙烯醚類表面活性劑。

10.如權利要求9所述的低刻蝕光阻殘留物清洗液，其特征在于，所述表面活性劑包括PVPK15、PVPK17、PVPK25、PVPK30、PVPK90、PEG200、PEG400、PEG1000、PEG100MS、AEO-3、AEO-7、AEO-9、AEO-10、AEO-15、JFC、JFC-1、JFC-2、JFC-E、OP-4、OP-15、OP-30、NP-10、NP-21、TWEEN-20、TWEEN-65、TWEEN-80中的一種或幾種。