[發(fā)明專利]鍵合損傷的檢測系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611070087.5 | 申請日: | 2016-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN108122796B | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 唐明龍;朱國平;周建軍 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫華潤華晶微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 損傷 檢測 系統(tǒng) | ||
本申請?zhí)峁┮环N鍵合損傷的檢測系統(tǒng)。本申請中,鍵合損傷的檢測系統(tǒng),包括:相互連接的探針臺與測試設(shè)備;其中,探針臺包括探針以及金屬臺盤,其中探針臺的探針與待測芯片的正面電極接觸,探針臺的金屬臺盤與待測芯片的反面電極電性連接,探針、金屬臺盤均與測試設(shè)備電性連接;待測芯片為未切筋的鍵合產(chǎn)品。在測試時,測試設(shè)備設(shè)有預(yù)設(shè)參數(shù),用于通過探針臺檢測待測芯片的損傷關(guān)聯(lián)參數(shù),并將所述損傷關(guān)聯(lián)參數(shù)與預(yù)設(shè)參數(shù)比較來判斷是否存在鍵合損傷。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本申請可以縮短損傷檢測時長、降低損傷識別的難度、避免損傷識別的安全風(fēng)險以及提高異常檢出率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及半導(dǎo)體芯片測試技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種鍵合損傷的檢測系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體器件后道封裝領(lǐng)域,引線鍵合產(chǎn)品在鍵合生產(chǎn)過程中需要進行鍵合損傷監(jiān)控。目前行業(yè)內(nèi)普遍采取的方式為使用化學(xué)試劑腐蝕的方法,去除鍵合后的PAD(焊盤)頂層金屬,顯微鏡下肉眼觀察焊點下方有無損傷?;瘜W(xué)試劑腐蝕法主要有兩種處理方式:一種是強酸加催化劑與待檢樣品進行化學(xué)反應(yīng);另一種是堿溶液加熱與待檢樣品進行化學(xué)反應(yīng)。
然而,上述檢測損傷的方式存在耗時較長、人眼難以識別輕微損傷、腐蝕操作存在安全風(fēng)險、異常檢出率低等弊端。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請實施例提供一種鍵合損傷的檢測系統(tǒng),解決上述提及的至少一個技術(shù)問題。
本申請部分實施例提供了一種鍵合損傷的檢測系統(tǒng),包括:相互連接的探針臺與測試設(shè)備;其中,
所述探針臺包括探針以及金屬臺盤,其中所述探針與待測芯片的正面電極接觸,所述金屬臺盤與所述待測芯片的反面電極電性連接,所述探針、所述金屬臺盤均與所述測試設(shè)備電性連接;所述待測芯片為未切筋的鍵合產(chǎn)品;
所述測試設(shè)備設(shè)有預(yù)設(shè)參數(shù),用于通過所述探針臺檢測所述待測芯片的損傷關(guān)聯(lián)參數(shù),并將所述損傷關(guān)聯(lián)參數(shù)與所述預(yù)設(shè)參數(shù)比較來判斷是否存在鍵合損傷。
本申請實施例所達到的主要技術(shù)效果是:由于損傷關(guān)聯(lián)參數(shù)測試時間短,可以縮短損傷檢測時長;借助鍵合損傷的檢測系統(tǒng)檢測損傷,避免人工肉眼識別損傷,可以降低損傷識別的難度;檢測損傷過程中不涉及腐蝕性化學(xué)藥品,可以避免損傷識別的安全風(fēng)險;即使損傷輕微,也可以通過測試損傷關(guān)聯(lián)參數(shù)反映出來,進而可以提高異常檢出率。綜上所述,本申請可以縮短損傷檢測時長、降低損傷識別的難度、避免損傷識別的安全風(fēng)險以及提高異常檢出率。
在本申請的一個實施例中,所述待測芯片設(shè)置于框架上;所述金屬臺盤與所述框架的底板電極接觸;所述底板電極與所述待測芯片的反面電極電性連接。
在本申請的一個實施例中,在將承載所述待測芯片的所述框架置于所述金屬臺盤之前,去除所述待測芯片的鍵合絲。
在本申請的一個實施例中,在去除所述待測芯片的鍵合絲時,先使用鑷子將所述鍵合絲從鍵合管腳處挑斷,接著夾緊所述鍵合絲并扭動,以使所述鍵合絲在所述待測芯片的鍵合點頸部斷開;其中,所述頸部為所述鍵合點與所述鍵合絲的結(jié)合部。這樣,可以避免拉傷芯片,影響測試準確性。
在本申請的一個實施例中,所述損傷關(guān)聯(lián)參數(shù)包括擊穿參數(shù)、漏電參數(shù)中的至少一項。通過測試擊穿參數(shù)、漏電參數(shù)可以檢測待測芯片是否存在損傷。
在本申請的一個實施例中,所述預(yù)設(shè)參數(shù)為預(yù)設(shè)閾值;當所述損傷關(guān)聯(lián)參數(shù)大于所述預(yù)設(shè)閾值時,所述測試設(shè)備判定所述待測芯片存在鍵合損傷。
在本申請的一個實施例中,在測試時,所述鍵合損傷的檢測系統(tǒng)處于無光照的測試環(huán)境。這樣,可以保證測試準確性。
在本申請的一個實施例中,所述測試設(shè)備判定所述待測芯片存在鍵合損傷時,輸出反饋信息至所述待測芯片的生產(chǎn)線控制器;所述控制器接收到所述反饋信息時控制所述生產(chǎn)線停機。這樣,可以在檢測到損傷時及時調(diào)整生產(chǎn)線,并追溯不良品,避免造成更大損失。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





