[發(fā)明專利]OLED顯示裝置及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611069717.7 | 申請日： | 2016-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN106784365A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃靜 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44265 | 代理人： | 林才桂,聞盼盼 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | oled 顯示裝置 及其 制作方法 | ||
1.一種OLED顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、提供一OLED基板(10)，所述OLED基板(10)包括襯底基板(11)、設(shè)于所述襯底基板(11)上的TFT層(12)、及設(shè)于所述TFT層(12)上的OLED器件(13)；
在所述OLED器件(13)及TFT層(12)上形成第一無機(jī)膜層(20)，在所述第一無機(jī)膜層(20)上形成第一有機(jī)膜層(30)，在所述第一有機(jī)膜層(30)上形成第二無機(jī)膜層(40)；
步驟2、在所述第二無機(jī)膜層(40)上形成一疏水薄膜(50)，在所述疏水薄膜(50)上形成微透鏡陣列(60)。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述疏水薄膜(50)的材料包括聚四氟乙烯；所述疏水薄膜(50)的厚度為10nm-1000nm；所述步驟2中，采用脈沖激光沉積設(shè)備來制備所述疏水薄膜(50)。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述微透鏡陣列(60)包括呈陣列排布的數(shù)個微透鏡(61)，所述微透鏡(61)的形狀為球形或橢球形；所述微透鏡(61)的材料包括聚碳酸酯；
所述步驟2中，采用噴墨打印設(shè)備在所述疏水薄膜(50)上打印出呈陣列排布的數(shù)個微透鏡材料液滴，固化后，形成數(shù)個微透鏡(61)，構(gòu)成所述微透鏡陣列(60)。
4.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的制作方法，其特征在于，還包括：步驟3、在所述微透鏡陣列(60)及疏水薄膜(50)上形成第三無機(jī)膜層(70)。
5.如權(quán)利要求4所述的OLED顯示裝置的制作方法，其特征在于，還包括：步驟4、在所述第三無機(jī)膜層(70)上形成數(shù)層第二有機(jī)膜層(80)與數(shù)層第四無機(jī)膜層(90)；
所述數(shù)層第二有機(jī)膜層(80)與數(shù)層第四無機(jī)膜層(90)中，所述第二有機(jī)膜層(80)與第四無機(jī)膜層(90)交錯設(shè)置，且與所述第三無機(jī)膜層(70)鄰接的膜層為第二有機(jī)膜層(80)；
所述第一無機(jī)膜層(20)、第二無機(jī)膜層(40)、第三無機(jī)膜層(70)、及第四無機(jī)膜層(90)的材料分別包括氮化硅、氧化硅、及氧化鋁中的至少一種；
所述第一無機(jī)膜層(20)、第二無機(jī)膜層(40)、第三無機(jī)膜層(70)、及第四無機(jī)膜層(90)的厚度分別為1μm-2μm；
所述第一有機(jī)膜層(30)與第二有機(jī)膜層(80)的厚度分別為1μm-10μm。
6.一種OLED顯示裝置，其特征在于，包括：襯底基板(11)、設(shè)于所述襯底基板(11)上的TFT層(12)、設(shè)于所述TFT層(12)上的OLED器件(13)、設(shè)于所述OLED器件(13)及TFT層(12)上的第一無機(jī)膜層(20)、設(shè)于所述第一無機(jī)膜層(20)上的第一有機(jī)膜層(30)、設(shè)于所述第一有機(jī)膜層(30)上的第二無機(jī)膜層(40)、設(shè)于所述第二無機(jī)膜層(40)上的疏水薄膜(50)、及設(shè)于所述疏水薄膜(50)上的微透鏡陣列(60)。
7.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述疏水薄膜(50)的材料包括聚四氟乙烯；所述疏水薄膜(50)的厚度為10nm-1000nm。
8.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述微透鏡陣列(60)包括呈陣列排布的數(shù)個微透鏡(61)，所述微透鏡(61)的形狀為球形或橢球形；所述微透鏡(61)的材料包括聚碳酸酯。
9.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置，其特征在于，還包括：設(shè)于所述微透鏡陣列(60)及疏水薄膜(50)上的第三無機(jī)膜層(70)。
10.如權(quán)利要求9所述的OLED顯示裝置，其特征在于，還包括：設(shè)于所述第三無機(jī)膜層(70)上的數(shù)層第二有機(jī)膜層(80)與數(shù)層第四無機(jī)膜層(90)；所述數(shù)層第二有機(jī)膜層(80)與數(shù)層第四無機(jī)膜層(90)中，所述第二有機(jī)膜層(80)與第四無機(jī)膜層(90)交錯設(shè)置，且與所述第三無機(jī)膜層(70)鄰接的膜層為第二有機(jī)膜層(80)；
所述第一無機(jī)膜層(20)、第二無機(jī)膜層(40)、第三無機(jī)膜層(70)、及第四無機(jī)膜層(90)的材料分別包括氮化硅、氧化硅、及氧化鋁中的至少一種；
所述第一無機(jī)膜層(20)、第二無機(jī)膜層(40)、第三無機(jī)膜層(70)、及第四無機(jī)膜層(90)的厚度分別為1μm-2μm；
所述第一有機(jī)膜層(30)與第二有機(jī)膜層(80)的厚度分別為1μm-10μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
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