[發明專利]一種RIE制絨的黑硅電池的制備方法

有效

• 申請號: 201611067874.4
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN108123009B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 李化陽;張良;李良;王霞;姚玉;任海兵
• 申請（專利權）人: 鎮江大全太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種RIE制絨的黑硅電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，去除黑硅片的正表面損傷層，以及對黑硅片的背面進行拋光處理；

步驟S2，對所述黑硅片的表面進行磷源擴散，制備PN結；

步驟S3，對所述黑硅片進行清洗、RIE制絨，在黑硅片的正表面形成納米絨面；

步驟S4，對所述黑硅片的納米絨面進行修復，以去除納米絨面形成過程中的損失層；

步驟S5，對所述黑硅片的正表面積淀上減反射膜；

步驟S6，對所述黑硅片的背面分別印刷背銀、鋁漿后烘干，然后在其正表面印刷正銀后燒結，即可得到黑硅電池。

2.如權利要求1所述的黑硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中采用濕法清洗方法，使用成分為HF:HNO3：H2SO4：H2O=1:8:10:5的混酸對黑硅片的背面和側面進行刻蝕，以實現對步驟S2中因磷源擴散造成的黑硅片側面和背面的PN結的刻蝕，再使用5%濃度的HF去除黑硅片正表面的磷硅玻璃層，后烘干。

3.如權利要求1所述的黑硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中采用干法清洗方法，使用成分為CF4和H2組成的混合氣體等離子體對黑硅片的側面進行刻蝕，以實現對步驟S2中因磷源擴散造成的黑硅片側面的PN結的刻蝕。

4.如權利要求2或3所述的黑硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中RIE制絨是采用SF6/O2/Cl2混合氣體等離子體對所述黑硅片的正表面進行反應離子刻蝕；刻蝕時間為5 ~ 10min，在黑硅片的正表面形成納米絨面的微結構大小為200 ~ 500nm，反射率為5 ~15%。

5.如權利要求4所述的黑硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中采用混酸處理法或堿處理法去除黑硅片的正表面的損傷層，以及對黑硅片的背面進行拋光處理；其中

混酸處理法采用成分為HF/HNO3/H2O的混酸；

堿處理法采用KOH溶液。

6.如權利要求5所述的黑硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中擴散溫度為760 ~ 850℃，擴散方阻為70 ~ 90Ω/□。

7.如權利要求6所述的黑硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中采用成分為BOE/H2O2/H2O的混合藥液去除損失層；然后使用成分為HF/HCl/H2O的混酸對黑硅片的表面進行清洗，以去除黑硅片表面的氧化層或金屬雜質。

8.如權利要求7所述的黑硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S5中的減反射膜為SiNx薄膜，其厚度為70 ~ 85nm，折射率為2.05 ~ 2.15。

9.如權利要求8所述的黑硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S6中采用絲網印刷法對所述黑硅片的正面和反面進行印刷；以及

所述黑硅片的背面的背銀的銀漿濕重為0.2-0.5g，鋁漿濕重為1.1g-1.5g；

所述黑硅片的正表面的正銀的細柵銀漿濕重0.78g-1.5g。

10.如權利要求9所述的黑硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S6中燒結時采用的燒結爐的燒結區域的最高溫溫區的溫度為760 ~ 860℃。