[發明專利]一種應用太赫茲技術種植芍藥科花品的方法

在審

• 申請號: 201611067623.6
• 申請日: 2016-11-25
• 公開（公告）號: CN106718190A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 張楠
• 申請（專利權）人: 張楠
• 主分類號: A01G7/06
• 分類號: A01G7/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及種植技術領域，更具體的說是涉及一種應用太赫茲技術種植芍藥科花品的方法。

背景技術

牡丹是芍藥科、芍藥屬植物，為多年生落葉小灌木，素有“花中之王”的美譽。性喜溫暖、涼爽、干燥、陽光充足的環境。喜陽光，也耐半陰，耐寒，耐干旱，耐弱堿，忌積水，怕熱，怕烈日直射。適宜在疏松、深厚、肥沃、地勢高燥、排水良好的中性沙壤土中生長。酸性或黏重土壤中生長不良。充足的陽光對其生長較為有利，但不耐夏季烈日暴曬，溫度在25℃以上則會使植株呈休眠狀態。開花適溫為17-20℃，但花前必須經過1-10℃的低溫處理2-3個月才可。

芍藥為毛茛科、毛茛目、芍藥屬(為毛茛科、毛茛目、芍藥屬改為芍藥科、芍藥屬)的多年生草本花卉，是中國傳統名花，與花中之王牡丹齊名，性耐寒、夏季喜涼爽環境，在烈日下易焦葉，應注意遮陰，宜置于半陰半陽處。芍藥花期較短，一般為8-10天，天氣涼爽或置于遮陰處，花期可延續半個月。傳統的遮陰方法為搭設遮陰網，需要年年搭設，消耗大量人力物力，而且若在花期對植物園、公園等處起綠化美化效果的芍藥搭設遮陰網，則會大大影響觀賞效果。

因此，如何提供一種抗病性強、花期長、化肥使用量少特點的應用太赫茲技術種植芍藥科花品的方法是本領域技術人員亟需解決的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種抗病性強、花期長、化肥使用量少特點的應用太赫茲技術種植芍藥科花品的方法。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種應用太赫茲技術種植芍藥科花品的方法，其特征在于，具體操作步驟包括：挑選種植地點；選取優良的芍藥科花種；利用太赫茲波照射芍藥。

優選的，在上述一種應用太赫茲技術種植芍藥科花品的方法中，所述太赫茲波又被稱為“生命光線”，是指波長在3μm到1000μ們之間，介于微波與紅外線之間的電磁波。

經由上述的技術方案可知，與現有技術相比，本發明通過太赫茲技術，可以縮短芍藥科花品幼年期；不使用農藥的前提下，增強植物抗病性，達到無病蟲害發生的目的；活化化肥的物性，減少化肥的使用量；增加植物本身的物性，可以延長芍藥科花品鮮切花盛開時間的特點。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明實施例公開了一種抗病性強、花期長、化肥使用量少特點的應用太赫茲技術種植芍藥科花品的方法。

請參閱本發明公開的一種應用太赫茲技術種植芍藥科花品的方法，具體包括：

挑選種植地點；選取優良的芍藥科花種；利用太赫茲波照射芍藥。

本發明通過太赫茲技術，可以縮短芍藥科花品幼年期；不使用農藥的前提下，增強植物抗病性，達到無病蟲害發生的目的；活化化肥的物性，減少化肥的使用量；增加植物本身的物性，可以延長芍藥科花品鮮切花盛開時間的特點。

為了進一步優化上述技術方案，太赫茲波又被稱為“生命光線”，是指波長在3μm到1000μ們之間，介于微波與紅外線之間的電磁波。

為了進一步優化上述技術方案，太赫茲技術被美國評為“改變未來世界的十大技術”之一，被日本列為“國家支柱十大重點戰略目標”之首。太赫茲泛指頻率在0.1～10太赫茲波段內的電磁波，處于宏觀經典理論向微觀量子理論、電子學向光子學的過渡區域；頻率上它要高于微波，低于紅外線；能量大小則在電子和光子之間；由于此交叉過渡區，既不完全適合用光學理論來處理，也不完全適合用微波的理論來研究；所以，上世紀九十年代以前，一度被人“遺忘”，也因此被稱為“太赫茲空白”。

本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實施例公開的裝置而言，由于其與實施例公開的方法相對應，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法部分說明即可。

對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。