[發明專利]嵌入式柔性基體薄膜燒蝕傳感器及其制備方法

有效

• 申請號: 201611066228.6
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN106596657B
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發明（設計）人: 陳偉;張龍賜;陳浩;周國方
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: G01N27/16
• 分類號: G01N27/16;B81C1/00
• 代理公司: 43008 湖南兆弘專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 周長清

1.一種嵌入式柔性基體薄膜燒蝕傳感器，其特征在于，所述嵌入式柔性基體薄膜燒蝕傳感器（1）包括柔性基體（2），所述柔性基體（2）的表面為溝槽陣列；所述溝槽陣列的凹槽中依次沉積有過渡層（4）、燒蝕層（5）和保護層（6）；所述柔性基體（2）為三元乙丙；所述過渡層（4）為聚酰亞胺或FR4電路板基材；所述燒蝕層（5）為鉑；所述保護層（6）為電介質材料；所述電介質材料為Al₂O₃或氧化鉭；所述柔性基體（2）的厚度為0.5mm～1mm；所述過渡層（4）的厚度為0.05μm～0.1μm；所述燒蝕層（5）的厚度為2μm～3μm；所述保護層（6）的厚度為0.1μm～0.2μm。

2.根據權利要求1所述的嵌入式柔性基體薄膜燒蝕傳感器，其特征在于，還包括引線焊盤（7）和槽孔（8）。

3.一種如權利要求1或2所述的嵌入式柔性基體薄膜燒蝕傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）利用光刻掩膜技術在柔性基體表面制備溝槽陣列的掩膜圖形；

（2）利用反應離子束刻蝕技術對步驟（1）中得到的表面制備有溝槽陣列的掩膜圖形的柔性基體進行刻蝕，使柔性基體表面形成溝槽陣列；

（3）利用離子束濺射技術在步驟（2）中得到的柔性基體表面依次沉積過渡層、燒蝕層、保護層，得到嵌入式柔性基體薄膜燒蝕傳感器。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，所述光刻掩膜技術的工藝參數為：曝光時間130s～140s，顯影時間35s～40s；所述掩膜圖形為光刻膠；所述掩膜圖形的厚度為3μm～4μm；

和/或，所述步驟（2）中，所述反應離子束刻蝕技術的工藝參數為：氣體流量6sccm～7sccm，入射角度30°～35°，屏極350V～400V，離子束流40mA～45mA。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，所述過渡層沉積的工藝參數為：屏極300V～380V，離子束流38mA～50mA，入射角度60°～70°，氣體流量8sccm～10sccm；

和/或，所述燒蝕層沉積的工藝參數為：屏極500V～520V，離子束流80mA～85mA，入射角度60°～65°，氣體流量8sccm～8.5sccm；

和/或，所述保護層沉積的工藝參數為：屏極350V～370V，離子束流42mA～45mA，入射角度60°～65°，氣體流量5sccm～6sccm。