[發明專利]一種異質結太陽電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201611065521.0
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN106601854A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 許爍爍;劉良玉
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: H01L31/074
• 分類號: H01L31/074;H01L31/18;H01L21/02;B82Y30/00
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙)43008
• 代理人: 周長清

1.一種異質結太陽電池，其特征在于，所述異質結太陽電池包括硅片基底，所述硅片基底上設有氧化鋁薄膜，所述氧化鋁薄膜上設有氮化鎵薄膜，形成GaN/Al₂O₃/Si異質結結構。

2.根據權利要求1所述的異質結太陽電池，其特征在于，所述氧化鋁薄膜的厚度為1nm～2nm。

3.根據權利要求1或2所述的異質結太陽電池，其特征在于，所述氮化鎵薄膜的厚度為100μm～300μm。

4.一種如權利要求1～3中任一項所述的異質結太陽電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）對硅片表面進行拋光；

（2）在步驟（1）中經拋光后的硅片表面沉積氧化鋁薄膜；

（3）對步驟（2）中得到的表面沉積有氧化鋁薄膜的硅片進行退火；

（4）在步驟（3）中經退火后的氧化鋁薄膜表面沉積氮化鎵薄膜；

（5）在步驟（4）中得到的氮化鎵薄膜上制備一層ITO透明導電薄膜和銀柵線電極。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，采用原子層沉積法沉積氧化鋁薄膜；所述原子層沉積法中，沉積溫度為150℃～250℃。

6.根據權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，采用堿溶液進行拋光；所述拋光的溫度為70℃～90℃，時間為1min～4min。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述堿溶液為氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液。

8.根據權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，所述退火在氬氣氣氛保護下進行；所述退火的溫度為400℃～500℃，時間為20min～40min。

9.根據權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（4）中，采用MOCVD法沉積氮化鎵薄膜；所述氮化鎵薄膜的沉積包括以下步驟：先在溫度為500℃～600℃下生長一層厚度為25納米的氮化鎵，然后在溫度為900℃～1200℃下進行生長。

10.根據權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（5）中，所述ITO透明導電薄膜采用電子束蒸鍍法制備得到；所述銀柵線電極采用電子束蒸鍍法制備得到。