[發明專利]一種逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管在審
| 申請號： | 201611065159.7 | 申請日： | 2016-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN106449747A | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發明（設計）人： | 陳萬軍;施宜軍;崔興濤;劉超;劉杰;胡官昊;周琦;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 逆阻型 氮化 電子 遷移率 晶體管 | ||
【說明書】：
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