[發(fā)明專利]液晶面板及其液晶配向方法、液晶顯示器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611064137.9 | 申請日: | 2016-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN106773330A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張宇;謝忠憬;宋彥君 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1337 | 分類號: | G02F1/1337 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304 | 代理人: | 孫偉峰,武岑飛 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液晶面板 及其 液晶 方法 液晶顯示器 | ||
1.一種液晶面板,其特征在于,包括對盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板以及夾設(shè)于所述彩膜基板和所述陣列基板之間的若干液晶分子,所述彩膜基板包括配向電極以及設(shè)置在所述配向電極上的第一配向膜層,所述陣列基板包括公共電極以及設(shè)置在所述公共電極上的第二配向膜層;
當(dāng)對所述液晶分子進(jìn)行配向時,對所述第一配向膜層和所述第二配向膜層進(jìn)行機械的摩擦處理,之后對所述配向電極和所述公共電極施加電壓,并且對所述液晶分子進(jìn)行紫外曝光,以在所述彩膜基板和所述陣列基板之間提供垂直電場,使所述液晶分子的預(yù)傾角達(dá)到0°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述彩膜基板還包括:第一基板、黑色矩陣、若干彩色光阻塊、第一絕緣層;所述黑色矩陣設(shè)置于所述基板上且限定出多個第一像素區(qū)域,所述若干彩色光阻塊設(shè)置于所述基板上,且每個彩色光阻塊位于其對應(yīng)的第一像素區(qū)域中,所述第一絕緣層設(shè)置在所述黑色矩陣和所述若干彩色光阻塊上,所述配向電極設(shè)置在所述第一絕緣層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶面板,其特征在于,所述陣列基板還包括:第二基板、設(shè)置在所述第二基板上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線、多個開關(guān)單元、絕緣保護(hù)層、像素電極,所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線相互絕緣交錯,以限定出多個第二像素區(qū)域,每個開關(guān)單元設(shè)置在其對應(yīng)的一個第二像素區(qū)域中,所述絕緣保護(hù)層設(shè)置在所述多個開關(guān)單元上,所述像素電極和所述公共電極彼此獨立設(shè)置在所述絕緣保護(hù)層上,所述第二配向膜層設(shè)置在所述像素電極、所述公共電極和所述絕緣保護(hù)層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶面板,其特征在于,所述開關(guān)單元包括:
形成于所述第二基板上的柵極;
形成于所述柵極和所述第二基板上的柵極絕緣層;
對應(yīng)于所述柵極上方且形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層;
形成于所述半導(dǎo)體層和所述柵極絕緣層上的源極和漏極,所述絕緣保護(hù)層形成于所述源極、所述漏極、所述半導(dǎo)體層以及所述柵極絕緣層上,所述絕緣層保護(hù)層上形成對應(yīng)于所述漏極上方的過孔,所述像素電極通過所述過孔與所述漏極相接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶面板,其特征在于,所述陣列基板還包括:第二基板、設(shè)置在所述第二基板上的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線、多個開關(guān)單元、第二絕緣層、絕緣保護(hù)層、像素電極,所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線相互絕緣交錯,以限定出多個第二像素區(qū)域,每個開關(guān)單元設(shè)置在其對應(yīng)的一個第二像素區(qū)域中,所述絕緣保護(hù)層設(shè)置在所述多個開關(guān)單元上,所述公共電極設(shè)置在所述絕緣保護(hù)層上,所述第二絕緣層設(shè)置在所述公共電極和所述絕緣保護(hù)層上,所述像素電極設(shè)置在所述第二絕緣層上,所述第二配向膜層設(shè)置在所述像素電極和所述第二絕緣層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶面板,其特征在于,所述開關(guān)單元包括:
形成于所述第二基板上的柵極;
形成于所述柵極和所述第二基板上的柵極絕緣層;
對應(yīng)于所述柵極上方且形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層;
形成于所述半導(dǎo)體層和所述柵極絕緣層上的源極和漏極,所述絕緣保護(hù)層形成于所述源極、所述漏極、所述半導(dǎo)體層以及所述柵極絕緣層上,所述絕緣層保護(hù)層和所述第二絕緣層上形成對應(yīng)于所述漏極上方的過孔,所述像素電極通過所述過孔與所述漏極相接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述若干液晶分子中摻有反應(yīng)型單體。
8.一種權(quán)利要求1至5任一項所述的液晶面板的液晶配向方法,其特征在于,包括步驟:
對所述第一配向膜層和所述第二配向膜層進(jìn)行機械的摩擦處理;
對所述配向電極和所述公共電極施加電壓,并且對所述液晶分子進(jìn)行紫外曝光,以在所述彩膜基板和所述陣列基板之間提供垂直電場,使所述液晶分子的預(yù)傾角達(dá)到0°。
9.一種液晶顯示器,包括相對的液晶面板和背光模塊,其特征在于,所述液晶面板為權(quán)利要求1至7任一項所述的液晶面板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電技術(shù)有限公司,未經(jīng)深圳市華星光電技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611064137.9/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





