[發明專利]雙面OLED顯示器及其封裝方法有效
| 申請號: | 201611064040.8 | 申請日: | 2016-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN106783914B | 公開(公告)日: | 2019-08-13 |
| 發明(設計)人: | 唐岳軍 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙面 oled 顯示器 及其 封裝 方法 | ||
1.一種雙面OLED顯示器,其特征在于,包括:
第一發光顯示部;
第二發光顯示部,位于所述第一發光顯示部下部;以及
上封裝蓋,用于封裝所述第一發光顯示部,包括:
上板體,位于所述第一發光顯示部上方;
第一折彎結構,形成于所述上板體的三邊邊緣并向下延伸;
下封裝蓋,用于封裝所述第二發光顯示部,包括:
下板體,位于所述第二發光顯示部下方;
第二折彎結構,形成于所述下板體的三邊邊緣并向上延伸;
所述上封裝蓋與下封裝蓋相結合形成一封裝腔室,所述第一發光顯示部與所述第二發光顯示部封裝于所述封裝腔室內;
所述第一折彎結構向下延伸至所述第一發光顯示部的底側,所述第一發光顯示部側部與所述第一折彎結構內側通過第一膠層粘接;
所述第二折彎結構向上延伸至所述第二發光顯示部的上側,所述第二發光顯示部側部與所述第二折彎結構內側通過第二膠層粘接。
2.根據權利要求1所述的雙面OLED顯示器,其特征在于,所述上封裝蓋與下封裝蓋對接,所述第一折彎結構底端與所述第二折彎結構頂端相貼合。
3.根據權利要求1所述的雙面OLED顯示器,其特征在于,所述第一折彎結構與第二折彎結構的厚度薄于所述上板體與下板體的厚度。
4.根據權利要求1所述的雙面OLED顯示器,其特征在于,所述上封裝蓋與下封裝蓋通過液體玻璃或塑料灌注成型。
5.根據權利要求1所述的雙面OLED顯示器,其特征在于,所述上封裝蓋與下封裝蓋內設置有絕緣層,所述絕緣層形成于所述第一發光顯示部與所述第二發光顯示部的表面。
6.根據權利要求5所述的雙面OLED顯示器,其特征在于,所述絕緣層為氮化硅、氧化硅或三氧化二鋁中的一種無機材料層或任意組合的復合層。
7.一種雙面OLED顯示器,其特征在于,包括:
第一發光顯示部;
第二發光顯示部,位于所述第一發光顯示部下部;以及
上封裝蓋,用于封裝所述第一發光顯示部,包括:
上板體,位于所述第一發光顯示部上方;
第一折彎結構,形成于所述上板體的三邊邊緣并向下延伸;
下封裝蓋,用于封裝所述第二發光顯示部,包括:
下板體,位于所述第二發光顯示部下方;
第二折彎結構,形成于所述下板體的三邊邊緣并向上延伸;
所述上封裝蓋與下封裝蓋相結合形成一封裝腔室,所述第一發光顯示部與所述第二發光顯示部封裝于所述封裝腔室內;
所述上封裝蓋與所述下封裝蓋相扣合,所述上封裝蓋位于所述下封裝蓋內,并且,所述第一折彎結構外側與所述第二折彎結構內側相貼合;
所述第一折彎結構向下延伸至所述第二發光顯示部的底側,所述第一發光顯示部及第二發光顯示部的側部與所述第一折彎結構內側通過第一膠層粘接;
所述下板體寬于所述上板體,所述第二折彎結構向上延伸至所述第一折彎結構的上側,所述第一折彎結構外側與所述第二折彎結構內側通過第二膠層粘接。
8.根據權利要求7所述的雙面OLED顯示器,其特征在于,所述上封裝蓋與下封裝蓋通過液體玻璃或塑料灌注成型。
9.根據權利要求7所述的雙面OLED顯示器,其特征在于,所述上封裝蓋與下封裝蓋內設置有絕緣層,所述絕緣層形成于所述第一發光顯示部與所述第二發光顯示部的表面。
10.雙面OLED顯示器封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
S101,提供下封裝蓋;
S102,提供一發光顯示部,所述發光顯示部包括上下粘貼設置的第一發光顯示部與第二發光顯示部,在所述第一發光顯示部側部設置第一膠層,在所述第二發光顯示部側部設置第二膠層;
S103,將發光顯示部置于所述下封裝蓋內,并將所述第二發光顯示部側部與所述下封裝蓋內側通過所述第二膠層粘接;
S104,提供上封裝蓋;
S105,將所述上封裝蓋蓋合于所述下封裝蓋上部,并將所述第一發光顯示部側部與所述上封裝蓋內側通過所述第一膠層粘接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





