[發(fā)明專利]一種改善PETEOS薄膜缺陷的方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611063548.6
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN106783535A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高升;曾慶鍇;劉聰;張莉;萬先進(jìn)
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/11521;H01L27/11568
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11212
• 代理人: 楊立,李蕾

1.一種改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，包括以下步驟:

步驟1，在半導(dǎo)體襯底上沉積形成PETEOS薄膜；

步驟2，向所述半導(dǎo)體襯底所在的工藝腔室內(nèi)通入第一反應(yīng)氣體和第二反應(yīng)氣體，對第一反應(yīng)氣體和第二反應(yīng)氣體的混合氣體進(jìn)行激發(fā)形成等離子體，利用所述等離子體對PETEOS薄膜的上表面進(jìn)行等離子體處理；所述第一反應(yīng)氣體為氧化性氣體，所述第二反應(yīng)氣體為惰性氣體或氮?dú)狻?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，所述第一反應(yīng)氣體為氧氣或者臭氧。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，所述第二反應(yīng)氣體為氮?dú)狻⒑夂蜌鍤獾娜我庖环N或者多種組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一所述的一種改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，步驟2中，工藝腔室內(nèi)壓力范圍為1torr～15torr，工藝腔室中射頻源的射頻功率范圍為200W～1000W，工藝腔室內(nèi)溫度范圍為200℃～600℃，第一反應(yīng)氣體的流量范圍為100sccm～12000sccm，第二反應(yīng)氣體的流量范圍為100sccm～10000sccm，等離子體處理的工藝時(shí)間范圍為2s～20s。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，當(dāng)?shù)谝环磻?yīng)氣體為氧氣時(shí)，氧氣的流量范圍為1000sccm～6000sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，當(dāng)?shù)诙磻?yīng)氣體為氦氣時(shí)，氦氣的流量范圍為1000sccm～5000sccm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，所述工藝腔室內(nèi)壓力范圍為3torr～10torr，射頻源的射頻功率范圍為500W～1000W，工藝腔室內(nèi)溫度范圍為300℃～500℃，等離子體處理的工藝時(shí)間范圍為2s～8s。

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,包括半導(dǎo)體襯底和沉積在所述半導(dǎo)體襯底上的PETEOS薄膜,所述PETEOS薄膜為權(quán)利要求1～7任一所述改善PETEOS薄膜缺陷的方法制備而成的PETEOS薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)使用在半導(dǎo)體存儲芯片中，且用于核心存儲或讀寫緩沖。