[發明專利]一種GaN HEMT熱穩態特性的快速測量方法有效
| 申請號： | 201611062801.6 | 申請日： | 2016-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN106526445B | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發明（設計）人： | 陳勇波 | 申請（專利權）人： | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐豐 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜態功耗 偏置電壓 穩態特性 快速測量 升序排列 測量 半導體器件制造 測量效率 施壓 | ||
1.一種GaN HEMT熱穩態特性的快速測量方法，其特征在于，包括如下步驟：
選取GaN HEMT器件的多個偏置電壓值，測量獲得GaN HEMT器件的初始直流I-V特性；
根據GaN HEMT器件的初始直流I-V特性，計算獲得對應多個偏置電壓下的靜態功耗；
將所述靜態功耗按照升序排列，并根據所述靜態功耗升序排列對應的偏置電壓值順序，對所述GaN HEMT器件施壓，重新測量GaN HEMT器件的熱穩態特性。
2.根據權利要求1所述的GaN HEMT熱穩態特性的快速測量方法，其特征在于，所述GaNHEMT器件的熱穩態特性具體為GaN HEMT器件熱穩態時的直流I-V特性和S參數特性。
3.根據權利要求1所述的GaN HEMT熱穩態特性的快速測量方法，其特征在于，所述多個偏置電壓值具體為GaN HEMT器件工作偏壓范圍內的任意多個柵極電壓和對應的漏極電壓的組合，其中，柵極電壓變化范圍為從溝道夾斷電壓至溝道完全打開的電壓的變化，漏極電壓的變化范圍為從0V至GaN HEMT器件偏置電壓的變化。
4.根據權利要求1所述的GaN HEMT熱穩態特性的快速測量方法，其特征在于，所述選取GaN HEMT器件的多個偏置電壓值，測量獲得GaN HEMT器件的初始直流I-V特性，具體為：
選取GaN HEMT器件的多個偏置電壓值，測量獲得GaN HEMT器件的漏極電流隨柵極電壓和漏極電壓的變化特性。
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